二手 RIBER 19C #9100829 待售

製造商
RIBER
模型
19C
ID: 9100829
晶圓大小: 4"
Molecular Beam System (MBE), 4" (3) Effusion cell ports / E-Beam guns AIRCO TEMESCAL CV-14 Electron beam power supply with control Vacuum chamber with cryo pump, ports and manipulators INFICON IC 6000 Deposition controller SENTINEL III Controller SENTINEL 200 (4) LAMBDA LK351 FMV DC Power supplies.
分子束外延技術(MBE)是一種精密的工藝技術,用於將薄膜半導體層沈積在光電等微電子器件的基板上。RIBER 19C是一款基於法國MBE系統制造商RIBER S.A.制造的Knudsen積液電池技術的MBE設備。19C系統包括三個基本組件:超高真空室、用戶友好控制軟件包和一系列源模塊。UHV腔室設計為可靠高效的操作,設有石英觀察窗、機械儀表控制器和先進的熱電偶單元,可測量每個源的溫度在0.1 ~以內。RIBER 19C的軟件包的用戶界面提供了一種簡單可靠的控制機器的方法。具有觸摸屏和圖形用戶界面,使用戶能夠調整通量速率、轉盤角度、溫度、壓力、緊身重量和操作參數。此外,軟件包還包括可定制的數據記錄和自動化功能,允許遠程或自主操作。19C還具有高級範圍的源模塊。其兩閥四氣源模塊可實現多閥/氣組合氣體的精確調節流動。它能夠通過16個單獨的閥門控制多達6種氣體,從而能夠精確控制分子的劑量。此外,其專利的旋轉快門源模塊使用戶能夠在不改變混合體閥門數量的情況下連續沈積薄膜,從而對薄膜性能進行精確控制。此外,它的三個燈絲源模塊允許廣泛的溫度範圍被精確的控制和維護。這種工具通常用於沈積從元素化合物(如砷化合物)到III-V化合物的廣泛材料。最後,它的電阻加熱源模塊給出了在不分解的情況下精確轉移揮發性物質如III-V和II-VI化合物的能力。總體而言,RIBER 19C是先進的MBE資產,非常適合生產高性能和可靠的薄膜半導體層。它提供了可靠高效的特高壓模型、用戶友好的軟件包,以及廣泛的源模塊,用於對層屬性的精確控制。該設備已成功地用於各種光電和微電子器件的制造。
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