二手 AGS MPS-150-RIE #9078689 待售
網址複製成功！
ID: 9078689
Advanced plasma system
For Reactive Ion and Plasma Etching (RIE / PE)
MPS-150 Base module:
Assy, console, MPS-150
Assy, chamber, MPS-150
Assy, power distribution, MP-TCU
Assy, interlocks, RIO
Assy, harness, RIO/RS232
Assy, facilities, CLP08
Assy, controller, APC2014-PPLC
Configuration options for RIE:
Assy, electrode, RIE-150
Assy, plasma source, RF120w
Assy, vacuum, ISO63, 1CG
Assy, pressure control, 1T
Assy, dry pump, 8cfm-plasma
Assy, gas deck, 5-Channel
Assy, heater jacket, wall
Mass flow controller options:
Assy, MFC, standard
Assy, MFC, toxic
Other options:
Upgrade, plasma source: RF300w
Upgrade, pump, dry: 70cfm-Plasma
Turbo package? 70lps-Plasma
Turbo package: 250lps-Plasma
Turbo package: 300lps-MagLev
Ion gauge KF
Temperature controller: 10-35C
Temperature controller: 10-60C
Electrical: 208 VAC, 30 Amp, 50/60 Hz, 4 Wire, 5 Pin IEC
Compressed air and nitrogen: 80-100 PSI, 1 CFM, 1/4” QC
Process gas: 15 PSI, UHP, 100 sccm, 1/4” male VCR
Exhaust: 50 CFM, <0.5 mmHg, KF40
Cooling water: 30-60 PSI, 1-2 GPM, 3/8” QC.
AGS MPS-150-RIE是一種高質量的研究和工業電子回旋共振（ECR）等離子體蝕刻設備，旨在滿足當今研究和工業應用的需要。該模型特別適用於需要高質量和高精度的薄膜蝕刻和沈積工藝，如半導體加工、MEMS和PDT。MPS-150-RIE具有各種特點，使其適合現代研究和工業應用。等離子體是使用高溫ECR源產生的，這是在精確功率條件下控制過程的非常高效和非常精確的工具。此外，ECR源可以在各種快門模式下操作，如脈沖和爆裂模式，從而能夠精確控制蝕刻過程和精確控制沈積厚度。ECR源還能夠向表面提供各種工藝參數所需的離子,從而允許在基板表面上均勻分布。通量控制系統利用了12個獨立的氣體通道，並配備了高度自動化的氣體攪拌機，便於控制工藝室內的氣體濃度。該機組還配備了溫度和壓力測量系統，以確保最佳操作條件。除了其高精度ECR源外，AGS MPS-150-RIE還配備了種類繁多的外圍設備，以進一步增強其能力。這種外圍設備包括精密的過程監控工具、先進的等離子體特性測量工具，以及負載鎖和機器人等一系列真空處理設備。該機結構堅固可靠，能夠處理各種工藝參數。等離子體約束工具確保等離子體均勻分布在整個腔室，以確保均勻蝕刻。蝕刻資產還配備了自動端點檢測模型，使設備能夠在預定點停止該過程，確保可重復的蝕刻結果。MPS-150-RIE具有高精度的ECR源、可靠可靠的設計和廣泛的外圍設備,是研究和工業應用的理想設備。此模型提供了允許用戶以卓越的生產效率和準確性生成統一且可重復的流程的功能和性能。
還沒有評論