二手 AIXTRON 2800 G4 HT #9194705 待售
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ID: 9194705
優質的: 2010
MOCVD Systems
Configuration:
GMS
Constant temperature MO sources (2 RM25 & 5 RM6)
Run / Vent pressure difference balance
In-MO source density monitor
(3) NH3 Configuration
H2 & N2 Testing equipment
Monitoring system:
EpicurveTT: Wafer curvature monitoring
Photrix: Wafer surface temperature monitoring
Optrics: Ceiling temperature monitoring
Rotation and satellite rotation:
Main rotation: Motor controller
Satellite rotation: Gas drive and single controller
Reaction chamber information:
11 x 4’’ Structure
Fixed heating coil
Water cooling triple injector
Injector purge
Controller:
PLC: Controller logix from AB
SCS from AIXTRON
2010 vintage.
AIXTRON 2800 G4 HT是一種強大而高效的化學氣相沈積（CVD）反應器，裝備了該領域的最新進展。該反應堆具有可靠的性能和生產率，可廣泛應用於各種材料和應用。適用於石墨烯、納米線、納米管、半導體和復合薄膜等多種材料的加工。該反應堆采用獨特的納米加工技術提供最大精度和控制。它具有多層蓋子系統、分段冷墻、PC控制的燃氣箱和熱邊源端插頭。這種特性的結合允許快速、可重復和均勻的材料層，使其成為研發創新技術的理想之選。AIXTRON 2800G4 HT設計的高溫範圍高達1200 °C，與市場上的其他CVD反應堆相比，可實現更快的工藝周期時間和更高的吞吐量。這是通過一種專有的設計實現的，這種設計包括用於沈積室的進氣和排氣通道、一個加熱的端塞和一個裝有條件的燃氣箱。氣箱通過提供受控的惰性氣氛，實現了精確的溫度控制和快速反應速率。此外，同一個腔室用於不同的基板，並允許快速和容易交換基板。蓋子系統便於在盡可能高的溫度下沈積，確保極好的可重復性和均勻性。蓋子本身被分割成兩個或兩個以上的部分，每一層分別加熱以進行精確的溫度控制。熱邊源端塞使材料的有效分布和在基板表面上的沈積更加均勻。所有這些特性使2800 G4 HT成為市場上最先進的CVD反應堆。它為研發團隊提供了一個最佳平臺，方便生產質量和精度空前的薄膜、納米結構等材料。
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