二手 AIXTRON 2400 G2 #9191574 待售
看起來這件物品已經賣了。檢查下面的類似產品或與我們聯系,我們經驗豐富的團隊將為您找到它。
單擊可縮放
已售出
ID: 9191574
Reactor
InGaAsP
Wafer capacity:
Heat package not included
Wafer configuration: 15x2", 11 x 2", 8x3", 5x4"
Gas supply:
N2 6.0, H2 Pd-Diffused, AsH3 100%
PH3 100%, SiH4 100%
Pinlet each 3-3, 5 bars
Carrier gas consumption < 20 l/min
Forming gas: 5%-10% H2 in N2
Pneumatic: N2 Techn, 7-9 bars
Cabinet ventilation: 2 x 1000 m3/h
Water cooling: Total flow 4 l/min at Tinlet, < 25°C
Pinlet, < 6 bars
Differential pressure > 4 bars
Power supply:
3Ph, 60Hz, 480VAC, ±5%-60 kVA (Heater)
3N/Ph, 60 Hz, 208VAC, ±5%-20 kVA (Electronics) (or)
3N/Ph, 50Hz, 400AC, ±5%-80 kVA.
AIXTRON AIX 2400 G2是一種高性能反應堆，設計用於生產大批量、高質量的沈積物。它基於公司專利的CVD-MOCVD生產技術，可以處理氧化物、氮化物、復合半導體材料的全系列沈積工藝。反應堆由一個旋轉敏感器、兩個熱區加熱系統和精密的過程控制能力組成。旋轉磁感器是一種大直徑、自由浮動的圓盤，安裝在梯形框架上，每分鐘最多可旋轉400轉。這種設計提供了統一和一致的薄膜沈積，並提高了生產率，因為它允許多個過程運行。這兩個熱區由一個石墨敏感器和一個電阻加熱器組成，該石墨敏感器包裹有一個用於沈積區的電阻加熱元件和一個提供高溫退火過程的電阻加熱器。兩個熱區都是可調的，可以調整到特定的沈積參數。精密的過程控制功能能夠對過程進行準確可靠的微調,從而確保高質量的薄膜具有出色的均勻性和可重復性。此外，反應堆還配備了精確的氣體控制系統，利用一整套工藝氣源、閥門和流量計對反應物流動進行閉環控制。這種特性導致各種材料的高通量加工。AIX 2400 G2是那些需要從沈積和退火過程中獲得最高生產力和高質量薄膜的人的理想工具。其緊湊的設計允許輕松集成到生產環境中，並結合了高熱穩定性、準確的氣體控制和可靠的工藝控制等優點。因此，它在生產各種應用的薄膜方面提供了優越的性能，例如光電和微電子器件、顯示器和其他半導體器件。
還沒有評論