二手 RIBER 32 #9281944 待售

分子束外延（MBE）是一種真空沈積技術，能夠對薄膜生長進行極其精確的物理和化學控制。RIBER 32 MBE設備是一種多源先進的MBE系統，設計用於生長砷、磷、氮化氙等III-V半導體化合物。該裝置具有高功率射頻等離子體源、多氣體噴射器、原位角分辨率XPS分析儀、原位鏡AR裝置和差分泵浦四掩模MBE室。32是用裝有四等離子源和八個快門氣體端口的四掩模MBE室建造的。每個石英爐都有一個獨立的氣流機，用於高效的混合，讓你從一個爐到另一個爐控制薄膜的組成和厚度。這樣就可以在一個步驟中增長不同的材料層,而不必停止刀具。此外，它還配備了一個原位角度分辨率X射線光電子光譜分析儀，用於監測薄膜生長過程中材料的成分。資產中包含的射頻等離子體源是一種單源射頻發生器，可用於精確調諧高等離子體密度。原位反射鏡AR單元提供了實時測量生長薄膜的反射率和折射率等光學特性的能力。該模型還采用了新開發的差動抽水設備，可用於保持系統中的高清潔度，同時實現高效的氣體流動。RIBER 32還包括一個功能強大的數據控制單元，使用戶能夠實時監視機器中的所有進程。具有同時控制快門閥、流量、溫度和多個氣源的能力，便於精確控制薄膜的生長。該工具還具有高效的通信資產,可實現遠程監控。總而言之,32提供了高度先進的MBE模型,具有一系列功能,可實現精確的薄膜增長。易於操作和可靠的性能使其成為工業應用的理想選擇。