二手 VARIAN / VEECO GEN II #9190525 待售
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ID: 9190525
MBE Growth system
Combination of IV: Si / Ge / Sn
Ports, 2.75"
Chamber 1 (III-V):
Arsenic valved cracker
Indium effusion cell
Gallium effusion cell
Aluminum effusion cell
Ga downward looking source
Silicon effusion cell (5 cc)
Beryllium effusion cell (5 cc)
Chamber 2 (Group IV):
Germanium effusion cell
Silicon e-beam source
Silicon high temperature source
Tin effusion cell
Arsenic valved cracker
Boron dopant source.
分子束外延（MBE）是一種用於創建可靠、高質量的薄膜結構的技術。VARIAN/VEECO GEN II MBE設備是制造復合半導體器件和結構的最先進的工具，如用於光電和微電子應用的多結太陽能電池、量子級聯激光器和半導體元件。該系統依靠真空室將底物與氣體分子隔離在一起。基板被放置在一個電子加熱的電阻元件上，稱為「電池」，通常由石英或氮化鋁制成。然後，源材料被裝入粒子束源，在那裏它們被特別加熱到高於該材料熔點的溫度。舉個例子來說，一個氙源需要比鋁源更高的溫度。為了精確移動粒子，VEECO GEN II MBE單元使用了功能強大的閉環光微控制器光束掃描機。該工具監視來自源材料的粒子束的數量、強度和擴散，然後精確調整束掃描模式，以確保均勻沈積到基板上。采用高精度噴氣噴嘴進一步增強了沈積過程，使資產能夠沈積多層不同材料而不重叠。VARIAN GEN II MBE模型還具有高級編程界面，允許用戶設計自己的沈積過程，調整流量，遠程控制設備。最後，系統包括一個先進的溫度控制單元，具有保持溫度在10°C至1000°C之間的高精度和穩定性的能力，讓用戶能夠精確控制薄膜特性，實現結構的均勻。這使得GEN II MBE機成為制造先進薄膜結構的理想設備。
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