二手 VARIAN / VEECO GEN II #9232274 待售

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ID: 9232274
MBE Growth system Combination of IV: Si / Ge / Sn Ports, 2.75" Chamber 1 (III-V): Arsenic valved cracker Indium effusion cell Gallium effusion cell Aluminum effusion cell Ga downward looking source Silicon effusion cell (5 cc) Beryllium effusion cell (5 cc) Chamber 2 (Group IV): Germanium effusion cell Silicon e-beam source Silicon high temperature source Tin effusion cell Arsenic valved cracker Boron dopant source.
VEECO Generation II Molecular Beam Epitaxy(MBE)設備是一種高度先進和可靠的增長系統,用於研究、開發和生產應用,遍及一系列行業。它能夠在包括但不限於高溫超導體、半導體材料、薄膜和各種固態材料在內的多種基板上沈積外延膜。該單元由控制臺、真空室、超高純度氣體輸送機、晶體支架和微處理器控制下運行的監控系統組成。該工具能夠在從室溫到1000°C的大範圍溫度下沈積薄膜。沈積速率可控制在每小時0.01 µm至500 µm之間。此資產最方便用戶的功能包括自動RHEED模式對齊、樣本對齊和自動配方處理。該室設計用於10-11 Torr的操作,具有八源、四袋脈沖電子束蒸發器、三個積液池和一個電阻加熱的Knudsen池,用於沈積厚度達幾微米的薄膜。雙腔室配置允許對沈積腔內的溫度進行最大的靈活性和控制,並允許高生產吞吐量VARIAN Generation II MBE模型能夠生長質量最高的薄膜材料。其強大的設計和質量控制系統使其可靠準確,而其優質的氣源和輸送系統則確保了高產材料的性能。其同時生長厚膜和薄膜的能力提供了極大的靈活性,允許廣泛的應用和產生優越的產量。
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