二手 VARIAN / VEECO GEN III #9239247 待售

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ID: 9239247
晶圓大小: 4"
MBE System, 4" Substrate temperature: 1000⁰C Materials used: Gallium Indium Aluminum Silicon Beryllium Arsenic Phosphorus (12) Shutter ports Aluminum sumo source Gallium or Indium sumo source Valved cracking effusion cell (2) 5cc Dopants (3) Gallium or Indium sumo sources Vacuum reading: Expect vacuum level: -10’s to 9e-11 torr range Substrates used: Silicon Gallium Arsenic Indium Phosphorus.
VARIAN/VEECO GEN III是一種先進的分子束外延(MBE)系統,用來將薄半導體膜沈積在各種底物上。它由四個相互連接的腔室組成,配置為執行低溫同外延生長、氧化物和氮化物,以及其他先進的外延過程。第一室容納一個多調試器源。它配備了多達六個單獨隔離的水平或調試資源,以防止其他材料汙染基板。多源可以在電流、功率和頻率上變化,以適應所需的沈積過程。該室還配備了電子束快門、隔熱罩、肖特基抑制器等必要的源配件。第二個腔室包含基板支架,是一個垂直旋轉組件,最多可容納四個基板。它還裝有一個負載鎖,樣品可以加熱到-100 °C至800 °C的溫度,以便進行先進的生長過程。兩個帶快門的操縱器和一個主快門用於保護基板,而調平器確保均勻的基板加熱。第三室為生長室,配有加熱燈絲、八個氣體噴射器和一條冷凍線。燈絲的設計目的是為300至900°C的生長溫度提供必要的能量。氣體噴射器連接到氣體面板,用於將源氣體和摻雜氣體輸送到生長室。冷凍泵送管線用於通過抽出殘留氣體來維持低背景壓力。第四個腔室是結果腔室,所得到的薄膜是特征的。該室配有用於物種鑒定的四極質譜儀(QSMS)和用於成分分析的殘留氣體分析儀(RGA)。它還包括一個自動樣品轉運站,用於在一個單獨的光顯微鏡室內檢查晶片。VEECO GEN III是為運籌學目的而設計的先進MBE系統。它的多個腔室、最先進的組件,以及先進的增長過程的可用性,使該系統成為高通量沈積和過程開發的理想之選。
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