二手 CANON / ANELVA ILC 1060 #9175336 待售
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已售出
ID: 9175336
PVD Sputtering system, 5"
Process: SiO2
Chambers:
(3) SP
Etch
Heat
L1-Chamber configuration:
Process: Etch
Exhaust pump: TG-550
Power unit model: VMA-1
1kW (RF)
Shield: φ5 Standard
Holder type: Upthrust pin
Process gas / Ar: 100sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
L2-Chamber configuration:
Process: Wsi
Exhaust pump: Torr8
Power unit model: PDC-157E
15kW (DC)
Cathode Mg: Wsi8/6-1
Shield: Top / Bottom exhaust
SP Chuck type: 99% Ring chuck
Holder type: Top / Bottom clutch
Heating temperature: 400°C
Heating type: Ceramic heater
Heating method: Gas heating
Process gas / Ar: 100sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
C-Chamber configuration:
Process: Ti
Exhaust pump: Torr8
Power unit model: PDC-157E
15kW (DC)
Cathode Mg: Ti8-1
Shield: Top / Bottom exhaust
SP Chuck type: 99% Ring chuck
Holder type: Top / Bottom clutch
Heating temperature: 400°C
Heating type: Ceramic heater
Heating method: Gas heating
Process gas / Ar: 100 sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV Lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
R2-Chamber configuration:
Process: TiN
Exhaust pump: Torr8
Power unit model: PDC-157E
15kW (DC)
Cathode Mg: TiN8-1
Shield: Top / Bottom exhaust
SP Chuck type: 99% Ring chuck
Holder type: Upthrust pin
Heating temperature: 400°C
Heating type: Ceramic heater
Heating method: Gas heating
Process gas / Ar: 100 sccm
Process gas / N2: 100 sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV Lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
R1-Chamber configuration:
Holder type: Top / Bottom clutch
Heating temperature: 400°C
Heating type: Lamp heater
Heating method: Radiation heating
Cables missing
1994 vintage.
CANON/ANELVA ILC 1060是一種利用高度控制和高效濺射技術的濺射設備。該系統允許薄膜沈積在多種基板上，並已廣泛應用於半導體、光學和生物醫學行業。佳能ILC 1060由一個主室、兩個轉移室、一個預濺射室和一個熱濺射室組成。主室是大多數濺射發生的地方，配有二極管磁控管和濺射陰極目標。二極管磁控管允許濺射氣體被電離，目標可以旋轉或振蕩以實現均勻沈積。真空保持在腔室內，並由一個集成的渦輪分子泵送單元控制。轉移室包含兩個等離子體源KF和KHM，以及一個載荷鎖，以提供主室基板的受控轉移。同時，在樣品進入主室之前，使用預濺射室破碎表面汙染物。最後，利用射頻等離子體源利用熱濺射室蒸發材料。ANELVA ILC-1060由數字信號處理單元或DSP單元提供動力,該單元可生成等離子體並產生濺射處理所需的一系列支持系統。DSP單元負責控制濺射壓力、腔室溫度和氣體成分。此外,DSP單元還提供了一系列安全功能,如過熱保護、過流保護和磁場保護。為了操作ILC 1060，必須設置多種參數。用戶需要指定基板溫度、濺射功率、濺射壓力、濺射時間、頻率和目標。此外,計算機還具有使用預設參數自動編程的功能。CANON/ANELVA ILC-1060具有眾多功能,是一種強大而高效的濺射工具。它能夠在多種基板上沈積薄膜，同時也為用戶提供靈活性和控制性。因此，對於那些希望利用濺射處理的特定應用程序的人來說，這是一個理想的選擇。
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