二手 MAGNETRON Sputtering #194492 待售
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已售出
ID: 194492
晶圓大小: 4"-6"
優質的: 2010
Sputtering system, 4"-6"
In‐line 3‐target system
Process variables can be monitored via ZR-RX40
(2) PSICM DC Sputter power supplies
ATOVAC GVC2200 Vacuum gauge controller and gauges
MKS 600 Series pressure controller
NOVA series ST580 Digital temperature
KODIVAC 340 Rotary pump
Main system:
(2) Chambers:
Sample chamber
Main chamber
Chamber size:
Main chamber: 3.5"x ~7"
Sample chamber: 2.5" x 3.5"
Control rack: 2" x 3"
Roughing pump: 2" x 2"
Sputter chamber: ~7" wide and 1.5" height
Carrier slider: 1" Length Al plate
Gate valve chamber: 1.5" Length
Sputter gun section: (3) Guns
Lamp heater
Sputter target size: 300 mm x 100 mm
Installed target: Mo, Cu-Ga, In
Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum
Transport: Automatic motor driven
Vacuum system:
KODIVAC 1600K Rotary pump
GENESIS ICP 250L Cryo pump
Automatic vacuum / Process control with LED display
Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005
Sputter system:
Sputter power supply: (2) 2 kW PSTEK DC Power supplies
(4) Gas flow controls:
SEAHWA KRO-4000
KOFLOC 3665
SEC 7440
Substrate motion control:
LED Panel display with speed controller
Manuals included
2010 vintage.
MAGNETRON Sputtering是一種先進的尖端技術,用於沈積由多種材料組成的薄膜。它的工作原理是利用電場將等離子體的高能正離子生成目標材料。離子加速到高速，撞擊目標材料，導致目標材料的原子從表面釋放出來。這些原子隨後被轉移到放置在真空室另一側的基板上。這種轉移工藝允許薄膜以均勻的厚度沈積，具有極好的光滑度和良好的附著力。濺射的優點是電場指向特定方向，可以防止來自目標的離子以外的離子被濺射到基板上。這樣做的效果是產生的薄膜幹凈，不受汙染。它還可以產生比其他沈積技術能達到的密度高得多的薄膜。這項技術的另一個優點是效率很高，能夠沈積能耗非常低的薄膜。這是由於所使用的電場，因為它可以以一種使用最少能量的方式來制造所需的等離子體。最後，磁控濺射是一個物理過程，與化學氣相沈積相比，它造成的汙染物更少。濺射的過程分為三個主要階段。首先，必須在濺射室中建立真空環境，並將濺射目標放置在室內。其次，對濺射目標施加負電勢，並使用高功率射頻（RF）發生器在腔內感應出高溫等離子體。最後，射頻發生器用於控制從目標材料釋放的原子沈積到基板上的速率。所需沈積量可以通過改變偏置電壓和射頻功率來調節。產生的離子能量也可以通過改變濺射槍的電壓來改變，這是控制目標材料原子沈積位置時的一個重要特征。總之，MAGNETRON Sputtering是一種功能強大、用途廣泛的技術，可用於以極高的精度沈積一系列不同材料的薄膜。這是一個非常有效和經濟的過程，廢物最少，能夠產生良好的附著力和光滑的薄膜表面。
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