二手 VARIAN / TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730 HT #77413 待售

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ID: 77413
CVD system, 3 chamber WSi CVD, 8" Turned off and de-installed late 2007 Maintenance by: TEL Secs/gem: yes CE Mark: yes SW Version UI V4.8HL In elect rack: 3x Ebara TMP controller (306W), labelled for PM RH TMP, PM LH TMP, T-M TMP; CVD Utility controller Main Frame MBB730 (3 chambers) Maintenance Table UI-Rack Additional breaker box MBB-730 Main Power Distribution Power Rack Edwards D150 dual GRC, qty 3 , Edwards PN A55222110, 208v 3 PHASE Weigt: 380 KG Chiller TEL: 3 Box with cable/Process kit/manuals Gases: N2 (ox) 4 l/min N2 (red) 125 l/min Ar 1500 sccm WF6 15 sccm ClF3 1500 sccm DCS 1500 sccm 1996 vintage.
TEL MB2-730高通量濺射設備是為制造和研究應用而設計的濺射系統。該裝置非常適合納米級沈積,並提供了更高水平的工藝控制、性能和可靠性。它具有雙磁控管射頻濺射源,以及先進的多面電離和直流濺射目標,能夠生產高質量、均勻的薄膜。該機還有一個集成的高真空室,能夠實現超高真空水平的高純度薄膜沈積。該工具提供了許多出色的功能,使其非常適合各種工業和學術應用。它有一個快速響應控制套件,使資產能夠在操作周期內在其流程性能的峰值或接近峰值時運行。這減少了重新校準的需要,並在生產過程中節省了時間。該模型還具有多種配置選項,以允許各種類型的薄膜沈積,以及不同的濺射目標材料。MB2-730高通量濺射設備還具有先進的電源管理功能。該系統具有低噪聲電源,該電源經過優化以達到最佳效率水平,可提供卓越的電源傳遞和最小化的功耗。電源與直流和射頻濺射源兼容,並提供一系列的輸出電平,以適應各種目標材料和基板尺寸。此外,該裝置有一個離子源,通過在沈積過程中提供更高濃度的離子,有助於擴大沈積膜的厚度。這減少了對多個沈積周期的需求,導致生產運行時間縮短,生產成本降低。而且,它允許更容易和更精確地控制濺射過程,從而產生一致的薄膜厚度和均勻性。最後,MB2-730高通量濺射機采用先進的安全特性,保證了工具在工業和學術環境中的安全運行。安全特性包括可密封腔室,可用於隔離射頻和直流大功率電源,防止人員在操作過程中進入活動區域。此外,資產還具有實時安全模型,可監控設備和任何樣品材料的熱、機械和電氣狀況,確保每項工作的安全和準確運行。
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