二手 KOKUSAI Quixace II ALD High-k #9196072 待售
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已售出
ID: 9196072
晶圓大小: 12"
優質的: 2010
Vertical LPCVD furnace, 12"
Process: CG DEP PROCESS (TaN)
Power rating: 480 AC, 3 Phase
(5) Loaders
System configuration:
Furnace unit:
Cartridge heater
(5) T/C for heater control
(5) T/C for over temperature protection
5-P T/C for cascade control
Thyristor unit for control
(4) Clean module units
Controller:
Main controller (OU)
Main operation unit
Sub operation unit
Process module controller
DDC Temperature controller
Gate drive unit
MFC/ Pressure unit
FOUP Loader controller unit
Wafer handling controller unit
Valve / Interlock control unit
Switching hub
Signal tower (Front)
(2) Gas flow pattern panels
EDA Controller
EDA Operation unit
Drive mechanisms:
I/O Shutter
AGV / PGV / OHT Stage
FOUP Loader
Rotation FOUP storage
FOUP Opener
(2) Wafer detections
Wafer transfer
Variable wafer pitch converter
Boat elevator
Boat changer
Furnace port shutter
Boat rotation
Wafer transfer crash detector
Gas system:
Gas unit (IGS)
Bottle heater
Stainless steel Ampoule with ultrasonic level sensor
4-PT Level sensor controller
Exhaust system:
Dry pump / Mechanical booster pump
Diaphragm sensor:
1000 Torr: 631C13TBEH
10 Torr: 631C11TBEH
10 Torr: 722B11TCE2FA
Main valve (VEC-SHA8-X0340)
Exhaust piping
Exhaust dilution line
Reactor tube press leak line
Back ground line
Jacket heater for exhaust pipe
Seal cap heater
Inlet flange heater
Reactor tube port heater
Safety:
Light curtain system
(2) OHT I/F Units
CIDRW Controller
(2) AMP Units
(2) CIDRW Headers
(2) Chemical filters
N2 Purge load lock system:
O2 Monitor / Detector
FOUP Opener: N2 Purge system
Loading area:
MFC
N2 Purge line
FOUP Opener: N2 Purge Line
Currently installed
2010 vintage.
KOKUSAI Quixace II ALD High-k是一種最先進的原子層沈積（ALD）擴散爐，可用於高溫和高步分辨率工藝控制的薄膜生長。它結合了用戶友好的功能，例如高精度的溫度控制設備，以及高效可靠的熱氣源和穩定的工件卡盤。該爐的一個獨特特點是其兩級反應物輸送系統，能夠以極好的精度輸送大量反應物。反應物輸送裝置是高度可配置的，可以適應一系列的沈積應用，使其成為一個令人難以置信的通用設備。本機還配有一系列配件，以進一步增強其能力，確保滿足用戶的要求。這包括一個用於精確溫度控制的氣流工具，以及一個可編程邏輯計算機，允許在較高溫度下定制和更好地控制ALD過程。該爐還配備了一套安全功能，包括壓力和溫度監測，以及過溫關閉。Quixace II ALD High-k擴散爐的設計旨在在一系列工藝條件下可靠地運行,重點是提供一致和精確的結果。該資產經過專門設計，可精確沈積多種高k介電材料，如HfO2、ZrO2和Al2O3，具有精確的層厚度均勻性。更有甚者，KOKUSAI Quixace II ALD High-k由於其雙級反應物遞送模型，能夠控制整個ALD過程，同時避免沈積膜表面的任何不一致。此外，該設備的均勻熱分布有助於減少反應時間並確保可靠的沈積速率。最後,系統配備了自動化硬件診斷,可為用戶提供有關流程參數的即時反饋,使他們能夠優化流程並根據需要進行調整。Quixace II ALD High-k是一款先進的擴散爐，為薄膜的生長提供了一個用途廣泛、用戶友好且可靠的平臺。它配備了兩級反應物輸送單元、氣流機和可編程邏輯計算機等一系列功能和配件，所有這些都有助於提供一致和精確的結果。對於那些希望在最高溫度水平下進行大分數沈積過程的人來說，這種設備是理想的選擇。
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