二手 KOKUSAI Quixace II ALD Oxide #293641469 待售

KOKUSAI Quixace II ALD Oxide是為集成電路（IC）晶圓的高級氧化沈積過程而設計的擴散爐及配件。該設備由一個負載鎖室、一個加工室、一個真空系統和一個能源組成。這種擴散爐被設計成以極高的精確度處理超細晶片（低至10 nm厚），允許沈積高品質和均勻的氧化層。Quixace II ALD Oxide提供三種主要功能，化學氣相沈積（CVD）、熱氧化和快速熱氧化（RTO）。KOKUSAI Quixace II ALD氧化物利用低壓化學氣相沈積（LPCVD）和霧化CVD （ACVD）的最新進展，為IC提供高度均勻和可重現的晶片表面沈積。該單元有效地將介電層沈積在IC上，形成復雜的模式，包括布線和被動/主動結構材料。用於沈積過程的典型氣體包括矽烷、氧氣和氨。對QuixaceII ALDoxide工藝室中進行的熱氧化過程進行了優化，使IC壁上的氧化物層均勻生長耗盡。溫度是預先編程的,可以在150°C至900°C的溫度範圍內進行調整,並且在整個晶圓表面具有極好的均勻性。最後,KOKUSAI Quixace II ALD氧化物的快速熱氧化（RTO）能力在不影響熱均勻性的情況下提供了超高速氧化率和氧化物在IC上的沈積。RTO工藝是在負載鎖定室中使用高達1200°C的溫度快速在IC表面上形成高質量的保護層。Quixace II ALD氧化機是一種可靠、方便、高效、準確的IC晶片氧化沈積技術。它旨在提供過程一致性、可重復性和嚴格的過程控制,使其成為從事高精度工作的實驗室的理想選擇。