二手 KOKUSAI Quixace II #9355289 待售

KOKUSAI Quixace II
ID: 9355289
晶圓大小: 12"
優質的: 2007
Vertical LPCVD furnace, 12" Boron doped poly 2007 vintage.
KOKUSAI Quixace II是一種最先進的晶體氧化物薄膜沈積設備。它是一個擴散爐,有一系列的附件設計,使其易於沈積和蝕刻結晶氧化物薄膜在各種基板上的嚴格控制。該系統配備了精確的電子定位單元、擴散源、光刻工具和濺射工具。電子定位機允許用戶將基板支架和感應耦合等離子體(ICP)源精確定位在整個腔室尺寸的一個小窗口內。這允許精確的膜生長速率控制、摻雜和表面清潔,同時也將汙染風險降至最低。擴散源提供了一個均勻的溫度剖面和高純度的氧氣,允許可靠和均勻的膜沈積。光刻工具允許對基板上的薄膜進行精確的圖樣化,濺射工具使更深層次的蝕刻能夠創建高度詳細的結構。KOKUSAI QUIXACE-II用戶界面簡單直觀,允許快速設置和沈積過程。用戶友好的圖形顯示允許輕松選擇過程參數和更改。軟件允許每層選擇不同的沈積,如氮摻雜、層厚度控制等等。這樣就能很好地控制所需的精確模式和沈積。此外,Quixace II還附有一系列先進的自動安全功能。它配備了一個警告工具,在出現任何危險的第一個跡象時向用戶發出警報。此外,它的設計方式是用戶在沈積過程中可以手動控制ICP源電源。這減少了由於故障而導致ICP源意外失火的風險。由於其特點,QUIXACE-II是薄膜沈積研發的寶貴工具。其先進的特點和安全系統使沈積過程得到精確控制,完善了尖端晶體氧化物薄膜的發展。
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