二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS II Metal #9288582 待售
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ID: 9288582
晶圓大小: 12"
優質的: 2006
Metal etcher, 12"
Chamber configuration:
Chamber A: DPS II Metal
Chamber C and D: ASP
Process chamber:
Process kits:
DPS II Poly parts / Chamber
Lid
ESC Power supply: 0010-14630 HV Module
Control type: TGV VAT 65050-PH52-AFS1
EOP Type: Monochromator
Independent Helium control: IHC Module dual 0010-07061 649A-14943
Transfer chamber:
Robot type: VHP Dual blade robot
General function:
Wafer out of position detection: LCF Sensor
Loadlock chamber:
SWLL Body: LLA/B A(0040-87833), B(0040-87834)
EFEM:
(3) TDK TAS-300 Load ports
Carrier ID reader: OMRON V640-HAM1 1-1
Air Intake system: (FFU)
Light curtain
YASKAWA 0190-14738 XU-RCM6841 FI Robot
YASKAWA XU-ACP4860 Wafer align
Wafer out of position detection: Blade finger sensor
Side storage: L
Remote interface:
Components interface:
Dry pump (transfer chamber) missing
Chiller missing
System monitor:
Monitor 1: Workstation 0246-00040
Components:
Turbo molecular pump:
TMP Model / Type: STP A2503PV
BOC EDWARDS PT43-56-000
RF Power:
Source RF generator:
APEX 3013 0920-00113
Frequency / Maximum power supply: 13.56 MHz / 3 kW
Bias RF generator:
APEX 1513 0920-00114
Frequency / Maximum power supply: 13.56 MHz / 1.5 kW
RF Match box:
0190-27576 3155132-001 Source
0190-15167 3155126-009 Bias
Utility:
Gas panel type: Next gen
Gas panel exhaust: Center exhaust
(12) Gas lines
Gas line tape heater (for liquid gas): BCL3 200 sccm
MFC Configuration:
MFC Type: Device net
MFC (All Chamber): UNIT IFC-125C
Gas information:
Gas / Gas name / SCCM
Gas 1 / CL2 / 200 SCCM
Gas 4 / CL2 / 300 SCCM
Gas 5 / 7% C2H4/HE / 400 SCCM
Gas 6 / SF6 / 400 SCCM
Gas 7 / O2 / 1000 SCCM
Gas 8 / CF4 / 50 SCCM
Gas 9 / AR / 400 SCCM
Gas 10 / CHF3 / 50 SCCM
Gas 12 / AR / 400 SCCM
Axiom chamber:
Gas / Gas name / SCCM
Gas 7 / O2 / 10000 SCCM
Gas 8 / CF4 / 300 SCCM
Gas 10 / N2 / 1000 SCCM
System controller:
FES: IBM 306 0090-23318
FIS: IBM 306 0090-22269
MF SBC: CL7
CCM SBC: 400 MHz
MF Controller:
Mainframe device net I/O: CDN494
AC Rack: Non remote UPS rack
Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 3-Phase, 320 A
2006 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DPS II Metal是一種高性能蝕刻/灰燼設備，設計用於蝕刻和去除半導體晶片上的金屬層。它提供了一種快速、低溫的工藝，能夠蝕刻到1.5µm，是先進芯片制造的理想選擇。DPS II Metal包括兩個反應性離子蝕刻器（RIE）和兩個感應耦合等離子體（ICPC）處理室。RIE腔室設計用於使用離子進行蝕刻過程，而ICPC腔室是使用反應性元素的灰燼過程的理想選擇。該系統使用高功率的氙燈作為能量來源，以便在20°C至250°C的溫度下進行蝕刻和灰化。激光幹涉測量單位用於測量各層的厚度並在蝕刻過程中提供反饋。該機提供高蝕刻/灰分精度和重復性，以實現精確可靠的金屬蝕刻，減少循環時間。其高級軟件允許用戶創建程序序列和配方，以控制滿足每個步驟的確切要求所需的過程參數，從而允許層間的過程優化。此外,DPS II Metal還具有高速電氣控制功能,可確保高效的工藝性能。該工具配備了安全聯鎖、惰性氣體傳感器、警告燈和警報器等安全功能，都是為了防止事故發生。該資產易於操作和維護,其組件易於訪問和更換,確保了長期的模型可靠性。AMAT Centura DPS II Metal是一款先進的蝕刻/灰燼設備，旨在為先進的芯片制造提供精確的金屬蝕刻。通過使用高功率氙燈和激光幹涉測量系統，可以實現可重復蝕刻精度，並支持廣泛的工藝參數。它易於操作和維護,同時具有多種安全特性,是各種制造工藝步驟的理想選擇。
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