二手 AMMT MPSB 200 #293830097 待售
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ID: 293830097
晶圓大小: 8"
Porous silicon etcher, 8"
Tank volume: ~3.8 Litre
Separation plate: ∅ 189 mm
Edge exclusion area: 9 mm
HF Exposed area: 182mm
(2) Electrodes
Diameter: 190 mm
Platinum meshed electrode
Platinum (Pt) plate
Silicon sacrificial electrode
Optical window size: ∅ 189 mm
Sapphire window backed: 1 mm
Quartz disk
Air pressure: 6 bar
HF-Ethanol mixture
Temperature range: 10°C – 30°C
Fluidic drain: PTFE hose (ID: 6mm OD: 8 mm)
Wafer holders: 2", 3", 4", 5", 6" ,8"
Processing side (Left / Anode):
Si: 46 mm
PT: 55 mm
Electrolytical contact side (Right / Cathode):
Si: 46 mm
PT: 55 mm.
AMMT MPSB 200是一款高性能的蝕刻器/asher設備,廣泛應用於半導體工業中,用於基材蝕刻、光刻劑去除、表面改性、清潔等各種工藝。這種先進的設備以其卓越的加工能力、精確的控制和可靠性著稱,使其成為半導體器件制造和研究實驗室必不可少的工具。MPSB 200具有多功能設計,可提供廣泛的流程功能,使其適合各種應用程序。該系統配備了多個氣體入口,一個強大的射頻發生器,以及一個精密的控制單元,能夠對壓力、溫度、功率和氣體流速等過程參數進行精確的調整。這種靈活性使用戶可以定制機器以滿足特定的流程要求並實現所需的結果。AMMT MPSB 200的關鍵特性之一是其等離子體蝕刻能力,使材料能夠從基板表面精確、受控地去除。等離子體蝕刻是一種幹燥蝕刻工藝,廣泛用於半導體制造,以在基板上創建精確的圖樣和結構。該工具利用等離子體源,通常使用氧氣、氯氣或氟氣等氣體組合產生,有選擇地從基板表面去除材料。蝕刻過程通常在受控條件下進行,以確保蝕刻圖樣的均勻性和可重復性。除了等離子體蝕刻,MPSB 200還具有灰化功能,用於光刻劑去除和表面清潔。Ashing是一種幹洗過程,涉及使用氧基等離子體分解和去除底物表面的有機殘留物。這種工藝在半導體制造中是必不可少的,以便在蝕刻工藝前後清潔基板表面,確保最終產品的純度和質量。AMMT MPSB 200配備了先進的安全功能和控制,以確保資產的安全運行。該模型采用內置防護措施設計,以防止過熱、超壓和氣體泄漏,最大限度地降低事故風險並確保操作員安全。此外,設備還配備了一個方便用戶的界面,使操作員能夠實時監測和控制工藝參數,從而便於優化工藝條件並取得預期結果。總體而言,MPSB 200是一個高性能的蝕刻器/asher系統,它為各種半導體制造過程提供高級功能、精確控制和可靠性。AMMT MPSB 200具有多種用途的設計、等離子體蝕刻和灰度處理功能,以及先進的安全功能,是半導體制造商和研究實驗室尋求在其過程中獲得高質量和精確結果的寶貴工具。
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