二手 HITACHI M 712 #9242176 待售

ID: 9242176
晶圓大小: 8"
Etcher, 8" (3) Cassettes / FOUP Positions SECS II Interface: HSMS (2) EDWARDS iQDP80 Loadlock pumps (2) EDWARDS iQDP80 Chamber pumps (2) SMC INR-497-001 Chillers 2-Channels cooling Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 50/60 Hz Mainframe: Robot P/N: CR-712V HITACHI FOUP Loader Chamber: ESC Type: Bipolar Endpoint type: PMT/ OES SHIMAZU EC TMP 3203LMC-K1 EC TMP Controller DAIHEN ES7-IIA EC Source generator PEARL CF-500-400K EC Bias generator Gas configuration: Line / EC1 / EC2 1 / Ar 500 / Ar 500 2 / C12 300 / C12 300 3 / SF6 200 / SF6 200 4 / HBr 200 / HBr 200 5 / CF4 150 / CF4 150 6 / CHF 3200 / CHF3 200 7 / O2 30 / O2 30 8 / CHF3 50 / CHF3 50 9 / SF6 50 / SF6 50 10 / C12 30 / C12 30 2006 vintage.
HITACHI M 712是為微電子器件制造而設計的蝕刻器/灰燼。它是一種先進的蝕刻和灰化(幹蝕刻)技術,可用於任何材料的蝕刻,包括金屬、非金屬、氧化物和聚合物。該設備是基於等離子體的聯合蝕刻和灰化工藝,並配有低溫化學幹蝕刻(LTCDE)和汽化元素與基板反應的灰化室。該系統能夠加工各種基材,包括玻璃、石英和聚酰亞胺。它還包含一個大功率發電機、一個渦輪分子泵機和一個低溫化學幹蝕刻室。M 712蝕刻和灰化過程是一個兩步過程,其中蝕刻和灰化條件分別控制。在蝕刻過程中,在基板上施加了一股高溫氙氣等離子體,以蝕刻基板表面。Ashing process following the retching process and the plasma is replaced by a neutral hydrogen ashing agent.灰化劑的溫度是可調的,以保證最佳的蝕刻和灰化效果。機器還包括一個控制器和一個遠程終端,以微調所需的蝕刻和灰化結果的參數。HITACHI M 712的最大蝕刻深度為5000納米(5微米),最小蝕刻深度為500納米(0.5微米),最大蝕刻速率為1微米/分鐘,允許精確蝕刻和灰度。該工具還能夠在45分鐘內實現200個晶圓的最大吞吐量。此外,該資產還包括高級流程控制軟件,以確保準確性和可重復性。除了蝕刻和灰化,M 712還提供了利用附加模塊的能力,如熱氧化物薄膜沈積模型、抗蝕條、蝕刻止動和背面清潔工藝。該設備還具有同時蝕刻基板兩側的能力。這些附加模塊具有很高的流程重復性和靈活性。總體而言,HITACHI M7 12是一種先進的微電子器件制造蝕刻和灰化系統.其先進的工藝控制軟件和附加模塊允許對各種基板進行精確和可重復的處理。此外,它的低溫蝕刻和灰化工藝可以更好地控制蝕刻深度、速率和穿透,從而提供了一種通用且高效的蝕刻和灰化解決方案。
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