二手 KOKUSAI Lambda 300N #293802339 待售

KOKUSAI Lambda 300N
ID: 293802339
Asher.
KOKUSAI Lambda 300N是一種高性能的等離子體蝕刻器和asher設備,廣泛應用於半導體工業中,用於精確高效的蝕刻工藝。此高級工具提供了一系列特性和功能,使其非常適合研究和開發以及生產應用。在本技術描述中,我們將深入探討Lambda 300N的關鍵規格、操作原理、優勢和應用。關鍵規格:KOKUSAI Lambda 300N配備高功率射頻(RF)發電機,為蝕刻和灰化工藝提供穩定和均勻的等離子體源。該系統的工作頻率從13.56 MHz到27.12 MHz不等,可以對各種樣品材料進行多用途處理。Lambda 300N的腔室設計用於容納直徑可達300毫米的基板,使其適合加工半導體制造中使用的標準晶片。該裝置具有多個氣體入口,可精確控制加工氣體,以及可靠的真空機,可確保高效的等離子體生成和均勻的蝕刻剖面。操作原理:KOKUSAI Lambda 300N利用反應性離子蝕刻(RIE)和等離子體灰化技術從基板表面去除材料。在RIE模式下,氧氣、氟氣、氙氣等過程氣體的組合被引入腔室,在那裏被RF等離子體源激發形成反應性物質。這些反應性物質與底物上的材料發生化學反應,導致特定層或圖樣的選擇性蝕刻。在asher模式下,Lambda 300N用於殘渣清除和表面清潔應用。通過將氧氣或其他反應性氣體引入腔室,該工具產生高能等離子體,有效分解基板表面的有機殘留物和汙染物,使其保持清潔,隨時可以進一步加工。優點:KOKUSAI Lambda 300N提供了幾個優勢,使其區別於市場上的其他等離子體蝕刻器和灰燼。其高功率射頻發生器可確保穩定和均勻的等離子體生成,從而在所有處理過程中實現一致的蝕刻和灰度性能。該資產還配備了先進的工藝監控能力,允許用戶實時調整氣體流速、壓力、射頻功率等關鍵參數,以獲得最佳工藝效果。此外,Lambda 300N還具有用戶友好的界面和直觀的軟件,可輕松編程和執行復雜的蝕刻和灰分配方。該模型具有高吞吐量和優異的工藝重復性,使研究人員和制造商能夠獲得精確可靠的結果,從而提高了半導體制造的整體生產率和產量。應用:KOKUSAI Lambda 300N廣泛應用於半導體行業的多種應用,包括光掩模蝕刻、介電蝕刻、金屬蝕刻、抗剝離。它能夠提供高質量和均勻的處理結果,使其成為研發新型半導體器件以及批量生產集成電路和其他微電子元件的理想工具。總體而言,Lambda 300N是一種用途廣泛、可靠的等離子體蝕刻器和asher設備,為半導體行業的各種材料和工藝提供先進的能力。該工具具有高性能射頻發生器、精確的過程控制和用戶友好的界面,非常適合滿足現代半導體制造工藝的嚴格要求,是半導體制造商和研究機構的寶貴資產。
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