二手 LAM RESEARCH 4520i #9196534 待售

LAM RESEARCH 4520i
ID: 9196534
晶圓大小: 6"
優質的: 2004
Etcher, 6" Verity enhanced endpoint detection LAM RF Generator rack: ISO AE RFG 1250 RF generator Chamber process kit parts: Attachment ring Upper and lower baffles Electrode clamp ring Filler ring lower clamp Focus ring edge lower Bottom wafer clamp Single wafer Flat notch orientation Integrated isotropic-anisotropic etching Wafer temperature control:  Reduced loading effects Variable gap spacing: Wide process flexibility Parallel plate reactor: Proven etch technology Inductive RF auto tuning: Fast accurate RF tuning for precise control Thermal oxide etch rate: ≥ 4500 A/min BPSG Etch rate: >7500 A/min TEOS Etch rate: >5000 A/min Uniformity: +/- 10% 3 Selectivity BPSG/TEOS to poly: >15:1 Particles: 0.3μm size Does not include dry pumps or chiller 2004 vintage.
LAM RESEARCH 4520i是一種全自動的單室等離子體親和氣體蝕刻器/灰化器,旨在提供最精確的蝕刻和灰化工藝。該設備能夠支持多種技術,如反應性離子蝕刻(RIE)、感應耦合等離子體(ICP)、等離子體增強化學氣相沈積(PECVD)和磁控管濺射。這種蝕刻和灰化工藝適用於包括制造半導體器件、硬盤、平板顯示器和其他高級基板在內的多種應用。4520i配備了靈活的源代碼陣列,可用於任何蝕刻或灰化組合。它包括一個獨特的低溫電容耦合源以及用於定制應用的傳統ICP源。LAM RESEARCH 4520i產生極精確結果的能力使其適合高密度、超細線蝕刻和灰化的需要。此外,工藝窗口足夠大,可以容納各種各樣的氣體和應用。此外,4520i還配備了原位氣體清潔劑,以減少工藝汙染並提高生產率。它還利用板載傳感器來確保過程的一致性和高效的自動加載系統來減少處理時間。該設備的控制器設計用於在各種環境中快速、準確地運行。LAM RESEARCH 4520i具有很高的適應性,提供了廣泛的參數變化,以適應任何特定應用程序的要求。它使用多種材料,能夠同時進行低壓和高壓蝕刻,以及一系列不同的溫度和功率水平。機器在加工室內的均勻溫度分布提供均勻一致的結果。4520i高效、經濟高效,非常適合大多數蝕刻和灰化應用。
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