二手 LAM RESEARCH H12IHE #293661561 待售

LAM RESEARCH H12IHE是一種高度先進的光束式等離子蝕刻器/Asher設備,旨在為各種薄膜加工和改裝應用提供卓越的效果。其設計結合了工程增強功能,為關鍵蝕刻過程提供了出色的一致性和精確度。它具有新一代的高級高壓氣體控制系統,可提供高度的定制和靈活性。H12IHE是一個六室單元，由三個主要部分組成：源室、蝕刻室和N2室。它還包括具有長壽命屏蔽組件的離子槍，以提高均勻性和可重復性，以及用於改進熱管理的冷卻劑機。LAM RESEARCH H12IHE旨在滿足最苛刻的高通量生產要求,同時在各種蝕刻參數上提供卓越的性能。蝕刻源室配有等離子源（EEM），以供應蝕刻過程所需的高能離子。高壓氣體控制工具具有精確的壓力控制和大氣閾值監測功能，以最受控制、最安全、最高效的方式保證運行。H12IHE采用了幾種不同的高真空（HV）泵送技術,可實現定制腔室填充速率,並提供最佳的工藝腔室填充時間以及出色的均勻性和可重復性。蝕刻室的設計可提供等離子體過程的卓越均勻性和可重復性。其線性真空剖面可確保在基板上均勻蝕刻。LAM RESEARCH H12IHE最先進的氣流控制資產提供了對蝕刻工藝物理參數的精確控制和自動化管理。N2室提供了密集的N2環境，大大降低了被蝕刻材料的蝕刻速率。此腔室還包含一個顯示蝕刻過程進展情況的透明窗口。H12IHE配備了一個額外的流程模塊,用戶可以在模型中添加額外的流程模塊,從而以更高的吞吐量運行。LAM RESEARCH H12IHE有一個全面的服務和支持人員網絡作為後盾,以確保客戶獲得最高級別的性能和可靠性。該設備易於升級和定制,可滿足最新的薄膜處理需求。它還具有嵌入式計算機系統和工業安全標準，負責實時監測安全參數。其各種設計特點，如精密壓力控制、高效氣體控制單元、線性真空剖面，使其能夠提供可靠、可重復、高質量的效果。