二手 LAM RESEARCH / ONTRAK Kiyo 45 #9298320 待售

LAM RESEARCHY/ONTRAK Kiyo 45是一種反應性離子蝕刻器（RIE），設計用於半導體材料的受控蝕刻。通過其強大的等離子體發生器和真空泵送系統，能夠實現高寬高比蝕刻和精確的輪廓控制。ONTRAK Kiyo 45配備單一、可調、多軸電極，用於精確控制蝕刻輪廓和蝕刻速率。蝕刻室由不銹鋼構成，旨在承受等離子體蝕刻過程的高真空和熱循環。LAM RESEARCH Kiyo 45使用一個裝有感應耦合等離子體發生器的反應室。等離子體發生器產生一個高能、低真空、等離子體的環境，這允許形成一個具有極佳選擇性和高透厚蝕刻速率的蝕刻所必需的反應性物種。Kiyo 45配備了等離子體發生器、真空泵和電源，允許蝕刻過程以幾種標準烹飪模式運行，包括單步和多步配方。LAM RESEARCHY/ONTRAK Kiyo 45可以在三氟乙醇（TFE）和三種氟化碳氫化合物（TFE、CF4和SF6）等幾種標準蝕刻化學中操作蝕刻單層或多層底物。ONTRAK Kiyo 45還允許用戶為更復雜的蝕刻過程編寫定制的優化蝕刻配方。它既能進行幹濕清潔，又能進行室內高度清潔，減少背景汙染。LAM RESEARCH Kiyo 45的核心是經過充分驗證的多軸電極（MAE）設計。MAE是Kiyo 45的一個專有特性，它針對要求苛刻的半導體基板的快速、高度各向異性、細線蝕刻模式進行了優化。MAE是一種完全可調諧的電極,它提供精確的蝕刻控制,並具有可調電極,可實現更高的長寬比和更復雜的蝕刻圖案。LAM RESEARCH/ONTRAK Kiyo 45具有完全的流程靈活性,專為在靈活的環境中運行而設計。它高度自動化,支持各種數據收集、分析和日誌記錄功能,以實現完整的流程可追蹤性。ONTRAK Kiyo 45還配備了用戶友好的圖形用戶界面（GUI），用於過程控制和監控。綜上所述，LAM RESEARCH Kiyo 45設計用於對要求苛刻的半導體材料進行精密蝕刻，在幹蝕刻和濕蝕刻化學中均具有極高的選擇性和高蝕刻速率。其先進的多軸電極（MAE）和等離子體發生器系統可實現高度各向異性的細線蝕刻圖樣和可調電極,從而實現高長寬比和復雜蝕刻圖樣。Kiyo 45的用戶友好圖形用戶界面（GUI）和工藝靈活性使其成為蝕刻苛刻半導體材料的絕佳選擇。