二手 NEXTRAL NE 100 #293828894 待售

NEXTRAL NE 100
ID: 293828894
Etcher Mask: Resist, SiO2, Si3N4, Metal Wafer Holder, 4" HF Generator: 300 W at 1356 MHz Gas Lines: SF6, CHF3, O2 Temperature range: 5°C to 40°C End point detector: Laser interferometry (670 nm).
NEXTRAL NE 100是一款針對先進半導體制造工藝而設計的尖端蝕刻/asher設備。這種高度精密的工具利用等離子體和化學過程的組合,有效地去除基板如晶片表面的汙染、殘留和氧化物,以確保設備的最佳性能和可靠性。NE 100采用最先進的技術設計,可提供精確和統一的蝕刻/灰化結果,使其成為需要高性能和一致處理能力的半導體制造設施的重要工具。NEXTRAL NE 100具有多功能的腔室設計,可容納各種晶圓尺寸,從小型研發樣品到全尺寸生產晶圓。該系統設有多個氣體註入口和一個精密的氣體輸送單元,能夠精確控制腔內的過程化學、溫度和壓力。這允許用戶定制蝕刻/灰化過程參數,以實現特定應用程序所需的結果,從而確保最大程度的過程靈活性和可重復性。NE 100的關鍵亮點之一是其先進的等離子體生成機,利用高頻RF(射頻)電源在腔內產生高反應性等離子體放電。這種等離子體有效地分解了晶圓表面上汙染物和殘留物的化學鍵,通過物理濺射和化學反應機制的結合促進了它們的去除。該工具的等離子體源設計具有很高的穩定性和效率,確保整個晶片表面的等離子體密度和均勻性一致,從而以最小的變化獲得精確的蝕刻/灰化結果。除了強大的等離子體生成能力外,NEXTRAL NE 100還采用了尖端的氣流控制資產,能夠在腔室內精確引入和混合多種工藝氣體。此功能允許用戶創建針對特定應用程序定制的自定義工藝化學體系,從而增強流程靈活性和控制能力。該模型的氣流控制設備還確保了高效的氣體利用和分配,最大限度地減少了氣體消耗,最大限度地提高了工藝效率。NE 100配備了先進的溫度控制和監控系統,在蝕刻/灰化過程中調節晶圓溫度。這種精確的溫度控制對於實現一致和均勻的處理結果至關重要,因為溫度變化會影響工藝的蝕刻速率、選擇性和均勻性。系統的溫度控制單元設計為在整個過程中保持穩定、均勻的晶圓溫度,確保最佳工藝性能和可重復性。此外,NEXTRAL NE 100還具有用戶友好的界面和直觀的軟件控制機器,可簡化最終用戶的操作和監視任務。該工具的軟件允許對流程配方進行輕松編程、對關鍵流程參數進行實時監控以及為流程優化和質量控制目的進行數據記錄。此外,該資產還配備了高級安全功能和診斷工具,以確保半導體制造環境中的可靠和安全運行。總之,NE 100是一種尖端的蝕刻器/asher模型,它為精密半導體制造過程提供了先進的功能。NEXTRAL NE 100憑借其最先進的等離子體生成、氣流控制、溫度調節和用戶友好界面,為半導體制造設施提供了可靠、高性能的蝕刻和灰化應用解決方案。
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