二手 OXFORD Plasmalab 100 - ICP 380 #293831766 待售
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單擊可縮放
ID: 293831766
優質的: 2011
Reactive Ion Etcher (RIE)
Vacuum:
Secondary vacuum:
ATH 1600M
ATP80
ATP 150 / Controller ACT 600TH
APC Valve: Stepgate 64046-PE52, 8"
Pumping speed: 1500 l/s / 1150 l/s, 80 l/s, 140 l/s
Ultimate pressure:
4,5E-9 Torr (6,0E-9 mbar)
5,0E-9 mbar, 5E-10 mbar
Base Pressure: 6,00E-5 Torr, 6,19E-5 Torr
Pressure switch 1: D059 14 000 100 mTorr
Pirani gauge:
APG-L-NW16 10 to 1E-4 mbar
APG-L-NW16 10 to 1E-4 mbar
CM Gauge: MKS 628B-15991 25000 torr to 0,05 torr
Penning gauge:
ASM AIM-S-NW25 7,5 x 10E-9 to 7,5 x 10E-3 torr
ASM AIM-S-NW25 7,5 x 10E-9 to 7,5 x 10E-3 torr
ASM AIM-S-NW25 7,5 x 10E-9 to 7,5 x 10E-3 torr
Gaz:
O2: 2,2 bar 100
CF4: 100
SF6: 100
Ar: 2 bar 100
BCl3: 50
Cl2: 100
Power supply: 600W, 13,56MHz (ICP380, 5kW, 2MHz)
Chamber:
Wafer: 6"
25 slots ceramic and effector
Table: Aluminum, 8"
Material of walls: AI / Alumine
Volume: 77,421
Chiller model: Julabo FB51
Temperature: 50°C
Flow: 22 I/min
Media: H5 (Glycol silicone)
Process: O2
Upgraded with X20 PLC and PC4500
(8) Line gas pods
Power distribution box
Chiller FP51
2011 vintage.
OXFORD Plasmalab 100-ICP 380是一種高度先進的蝕刻器/asher設備,設計用於在研發和生產環境中對各種材料進行精確等離子體處理。該工具結合了創新技術、卓越性能和人性化操作，以滿足現代半導體、MEMS、光電和納米技術行業的苛刻要求。該系統具有感應耦合等離子體（ICP）技術，以高密度和高溫等離子體生成能力著稱。Plasmalab 100-ICP 380中的ICP源提供了過程氣體的高效電離,並實現了特殊的過程均勻性和控制性。ICP 380配置特別提供800瓦的最大工作功率,可確保在各種工藝應用中產生可靠的等離子體。OXFORD Plasmalab 100-ICP 380的腔室配備了一套先進的功能，方便精確的蝕刻和灰化工藝。該裝置采用了高性能渦輪分子泵機，確保了過程氣體和副產物的快速高效排空，從而提高了過程的重復性，縮短了循環時間。此外，該室還配備了一系列氣體輸送系統，包括質量流量控制器和氣體混合能力，從而能夠精確控制過程中的氣體流量和成分。Plasmalab 100-ICP 380的主要優點之一是它在處理各種基材材料和尺寸方面的多功能性。該工具采用自動晶圓處理資產，可容納直徑達200毫米的基板，適合處理半導體行業常用的標準晶圓尺寸。而且，腔室的設計和配置可以很容易地適應各種樣品類型、形狀和尺寸，為從事各種應用的研究人員和制造商提供靈活性。OXFORD Plasmalab 100-ICP 380的軟件界面設計直觀、用戶友好,使操作員能夠輕松編程和控制蝕刻/灰化過程。該模型配備了一套全面的工藝配方和參數設置，可以針對特定的材料類型和工藝要求進行定制和優化。對關鍵工藝參數（如氣流、腔室壓力、射頻功率和溫度）的實時監測和控制可實現精確的工藝控制和優化,以實現所需的蝕刻/灰分結果。綜上所述,Plasmalab 100-ICP 380是一款最先進的蝕刻器/asher設備,可為各種等離子體處理應用提供卓越的性能、多功能性和控制能力。其先進的ICP技術、精確的過程控制能力和用戶友好的界面，使其成為尋求在各種材料上實現高質量和可重復等離子體工藝的研發實驗室、大學和生產設施的理想工具。
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