二手 OXFORD Plasmalab 133-ICP 380 #293830096 待售
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ID: 293830096
優質的: 2010
Etcher
Quartz ring
SiC Platen
ALCATEL ADP 122 P Dry pump, 415 V, 6 A
ALCATEL ATH 1300M Turbomolecular pump, 34000 RPM
AMU Motor: P5224-DC018SR-G21-3475H
GEN750W DC Power: 100-240 V, 9.5 A, 50/60 Hz
ALCATEL ACP 40G Dry pump, 4800 RPM, 1013 mbar
Transfer chamber sensor and reflector
BAUMER FZAM18P1155 M18 Thread
ALCATEL ACT 1300M / 1600M Turbo pump controller:
Power supply: 100-120 V, 200-240 V, 50/60 Hz, 750 W
RF Power:
ADVANCED ENERGY Cesar 0230, 2 MHz, 3000 W
ADVANCED ENERGY RFG1251, 13.56 MHz, 1200 W
Vacuum gauge:
MKS 628F, Torr
PFEIFFER PKR251,15-30V, DC 2W
EDWARDS AIM-X-NW25, 1 Bar~600 mbar
EDWARDS APG-L-NW16, 10-3~4 mbar
(5) Mass Flow Controllers (MFC):
Gas / Size
Ar / 100 SCCM
O2 / 100 SCCM
SF6 / 100 SCCM
CF4 / 200 SCCM
CHF3 / 200 SCCM
2010 vintage.
OXFORD Plasmalab 133-ICP 380是一款先進的蝕刻器/asher,提供可靠、高效的操作,是要求苛刻蝕刻/ashing應用的理想選擇。該設備具有高性能的感應耦合等離子體（ICP）源,能夠實現快速、高質量的蝕刻/灰化過程。OXFORD PLASMALAB 133 ICP380的核心是強大的13.56 MHz ICP源。這是耦合到一個實時數字控制器，允許精確控制蝕刻/ashing過程。ICP源能夠提供高達65 W/cm2的高功率密度和高工程重復性。這樣可以確保短周期時間和高吞吐量,同時保持出色的蝕刻/灰分質量。PLASMALAB 133 ICP 380具有5至20 mT的可調工作壓力範圍,最大電源電壓為500V,最大等離子體源功率為500 W。該系統還包括一個用戶友好的軟件界面，允許輕松配置和優化蝕刻/灰化參數。PLASMALAB 133-ICP 380配備了多種配件,包括帶有集成噴嘴的石英淋浴頭,以及用於保護等離子體源免受意外過載的集成安全單元。該機器還具有很小的占地面積，使其能夠輕松地集成到大多數現有的實驗設置中。OXFORD PLASMALAB 133-ICP 380是半導體、MEMS和其他微加工工藝中蝕刻/著墨任務的絕佳選擇。通過對蝕刻/灰化工藝的精確控制,出色的蝕刻/灰分質量和高效率,為要求高精度和高性能而又不超出預算的研究人員和行業提供了極好的成本效益比。
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