二手 OXFORD Plasmalab uEtch 300 / RIE/PE #188102 待售
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單擊可縮放
ID: 188102
RIE System, 12"
Process:
SiO2
Nitrides
Polymers
Lower platten: 380mm diameter
Adixen ATH 400HPC Turbo pump
HP Computer
Pentium dual core processor
ADVANCED ENERGY: RFG 1251 RF Generator(13.56MHz)
Plasma mode: RIE / PE Recipe controlled
Wafer stage temperature control: NESLAB RTE-7 Chiller
Gas Box:
(6) Gas lines
6 MKS 1179A MFC's installed
MFC 1 Gas: CHF3, Range: 100 SCCM
MFC 2 Gas: CF4, Range: 100 SCCM
MFC 3 Gas: O2, Range: 50 SCCM
MFC 4 Gas: AR, Range: 100 SCCM
MFC 5 Gas: N2, Range: 100 SCCM
MFC 6 Gas: C4F8, Range: 100 SCCM
Chamber heating jacket: 20°-80°C
Manual control
Graphite wafer holder: 12"
ALCATEL 2033C Corrosive roughing pump
EMO Button
Chamber up / down selector switch
Hoist up / down buttons
Operations manuals
System restore disk
System power: 208V, 3ph, 50 / 60Hz, 20A.
OXFORD Plasmalab uEtch 300是一種RIE/PE（反應性離子蝕刻/等離子體蝕刻）設備，設計用來蝕刻或粉刷多種材料。它是一個強大而可靠的蝕刻、沈積、濺射和植入過程系統。該單元由低壓試點和「冷墻」技術組成，以盡量減少氣體消耗。磁場限制完全使等離子體能夠在一個可重復的過程中與材料自由和劇烈的反應。電源可以調整，為用戶提供廣泛的射頻功率和頻率設置。腔室呈半球形，最大單晶片容量為2英寸。它提供了一種具有自動主動氣體平衡和溫度控制功能的連續流動供氣機，以確保統一的加工和可重復性。該工具有兩個主要氣源（NF3、SF6和CF4），也可與一系列其他氣體以及不同處理技術的不同氣體一起使用。氣體輸送設備采用整齊的設計，所有的控制和監控都可以在室內前部輕松接近。前置數字指示器和可操作性允許用戶在保持完全控制的同時觀察過程。該模型包括一個帶有壓力調節器和防腐蝕材料的排氣設備，以保證長期的可靠性。自動加載器為用戶提供6個插槽，並允許自動加載、卸載和處理晶圓。OXFORD Plasmalab uEtch 300 RIE/PE是尋找可靠、可重復和經濟高效的蝕刻和/或灰化結果的業內人士的理想系統。該單元要求操作員參與最少，在蝕刻結果上提供高精度和均勻性，並具有所有必要的安全功能，以確保符合最新的工業法規。
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