二手 PINK / PLASMA TECHNOLOGY V8-G-AUTO #9401257 待售
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ID: 9401257
優質的: 2013
Plasma system
Protection class: IP 40
Generator: 2.45 GHz Micro Wave
LEYBOLD Trivac LSS40-65 Vacuum pump
Chamber dimension:
Width: 260 mm
Height: 150 mm
Depth: 280 mm
Volume: ~11 liters
Compressed air:
Connection: Øa 8 mm
Pressure: >5.5 bar (relative)
Gas supplies:
Oxygen (O2)
Connection: Tube Øa 6 mm
Feed pressure (relative):
Minimum: 2 bar
Maximum: 6 bar
Lot:
Maximum: 1000 ml
Minimum: 5 bar
Nitrogen (N2)
Connection: Tube Øa 6 mm
Feed pressure (relative):
Minimum: 2 bar
Maximum: 6 bar
Lot:
Maximum: 50 ml
Minimum: 5 bar
Pressure measurement: 1000 - 0.1 Pa
Vacuum pump speed: 65 m³/hour
Pump exhaust air connection: Øi = 50 mm
Noise emission: 70 dB (A)
Electrical connection: (3) 230/400 V, 50/60 Hz, N/PE
Connected load: 3.3 kVA
MW Power: 600 Watts (Max)
2013 vintage.
PINK/PLASMA TECHNOLOGY V8-G-AUTO是一種自動化的高性能晶片蝕刻器/灰光器,旨在以精確、快速和精確的方式處理各種材料。該設備由兩個主腔室組成,一個具有高密度反應性離子等離子體,另一個具有側面安裝視圖端口的真空腔。該系統利用基於卡盤的真空夾緊裝置,在加工過程中將晶片牢固地固定到位,可容納直徑從4英寸到6英寸的一系列晶片類型。PINK V8-G-AUTO利用高密度的反應性離子等離子體,它是通過將標準等離子體源與射頻電源耦合而產生的。等離子體源和射頻電源的這種組合允許晶圓蝕刻過程的精確調制。該機能有效蝕刻各種材料,如矽、石英、陶瓷和多晶矽氧化物。輸入氣體,如氮(N2)或氙氣(Ar),被精確地計量並通過等離子體腔引導,在那裏它們被通電並形成等離子體。等離子體中的反應性離子隨後與晶片相互作用,在各種材料類型上提供高的蝕刻速率。可調等離子體參數(如RF和偏置功率)為用戶提供了對蝕刻過程的控制,允許通過精細控制離子能量和蝕刻速率來改變Feature圖像。晶片安裝在晶片卡盤上,該卡盤可以牢固地固定在適當的位置,並在蝕刻過程中提供精確的手動或計算機控制旋轉。真空室內的溫度是可調的,促進整個晶片表面均勻蝕刻。PLASMA TECHNOLOGY V8-G-AUTO具有出色的工藝重復性和控制能力,具有多個可分批編程的蝕刻周期。該工具包括高級實時流程監控,以及用於詳細流程編程的集成資產診斷和軟件可選參數。此外,該模型還包括自動運輸、物料裝載和晶片卸載,以促進一致的蝕刻性能。它需要標準的電源連接,符合標準的清潔室做法,並符合當前的安全法規。V8-G-AUTO在各種材料的蝕刻和灰化方面具有優異的性能和效率,非常適合半導體元件的精密表面加工。該設備對離子產生的等離子體的精確處理及其對蝕刻過程的精確編程和控制能力,使其成為高質量表面加工應用的寶貴工具。
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