二手 PLASMATHERM 770 ICP #9123970 待售
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ID: 9123970
晶圓大小: 8"
優質的: 1997
Ion coupled plasma etcher system
Dual chamber
Load lock shuttle lock transfer
RFPP–RF5S RF power supply w/AM5
Six zone heater
Pressure controller: PM5
RF20M with phase
Model 919 hot cathode controller
VAT PM5 adaptive pressure controller
Dual pumping stack with Leybold 600C
Leybold D65BCS
Dual sofie endpoint detectors
Gas chemistry:
Non-chlorine side:
(5) MFCs
(1) N2 Purge
Clorine side:
(4) MFCs
(2) N2 Purges
Plasmatherm windows based OS
208V, 3 Phase, 50/60 Hz
1997 vintage.
PLASMATHERM 770 ICP是一款先進的幹蝕刻蝕刻/asher設備,最初設計用於半導體行業的開發和工藝集成。它經過專門設計,以應對高長寬比蝕刻的挑戰,使其適合最困難的過程和應用。該系統利用感應耦合等離子體(ICP)源,產生具有低電離種類的高密度等離子體,以獲得比替代蝕刻系統更高的精度和均勻性。ICP在10.2MHz運行,功率範圍高達400瓦,可精確控制功率和蝕刻深度。ICP還在450至950°C的溫度下運行,壓力範圍為0-1000 mTorr,以增強靈活性和準確性。該裝置還具有一個能量中性帶電粒子(ENCP)源,其設計目的是減少對晶圓的長期損害。該光源消除了電離粒子,產生了更均勻的蝕刻過程,減少了對微觀特征的損害,提高了整體精度。與其他蝕刻技術相比,ENCP還能夠提供更高的蝕刻速率和更低的表面粗糙度。該機還具有三個運動軸和光機自動定心,以提高生產率和精度。使用5.8英寸的加工室,770 ICP可以安裝任何尺寸的晶圓,並執行直徑最大8.0英寸的蝕刻工藝。陶瓷襯裏的加工室還具有統一的溫度設計,創造了一個穩定的蝕刻環境。對於高級過程控制,該工具利用高級自動化功能,包括熱控制、工藝配方管理器和半自動晶圓傳輸。還提供了一種全自動機器人氣體資產,以減少操作員的幹預和提高生產率,以及一種可追溯的氣體輸送模型,以更好地控制氣體混合物的成分。總體而言,PLASMATHERM 770 ICP 蝕刻器/asher設備是一種功能強大且可靠的工具,專為半導體行業中最困難的工藝和應用而設計。具有高密度等離子體、均勻配電、自動化氣體系統等特點,具有優異的蝕刻精度和重復性。
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