二手 SEZ / LAM RESEARCH RST 201 #9394221 待售
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單擊可縮放
ID: 9394221
晶圓大小: 8"
優質的: 1996
Spin etcher, 8"
Process: Poly SiO2
Medium 2:
Chemical
(2) PILLAR PE-10MA Pumps
Heat exchanger: 1.6 kW / 80 CC Chilled water
Mixing type: Base chemical to level, spike secondary with dosing pump
Dosing pump size: 10 ml
Filter housing
Medium 3:
Chemical
(2) PILLAR PE-10MA Pumps
Heat exchanger: 1.7 kW / 80 CC Chilled water
Mixing type: Base chemical to level, spike secondary with dosing pump
Dosing pump size: 10 ml
No filter housing
N2 Flow: SCCM Monitored
Dispense:
Suck back: (2) Stages-valve to suck back valve, 3/8"
Medium 2: Analog flow monitor
Medium 3: Analog flow monitor
HMI: Rear
Static bar
Chuck type: Bernoulli (Standard)
(6) Spare parts
System safety equipment:
EMO Switch type: Turn to release EMO
EMO Guard ring
Chemical delivery options
Gem interface
CDS Unit
SUB Unit and spare part
Facilities:
N2
CDA
UPW
Exhaust
Vacuum
Power requirements:
Remote power module
Line voltage: 400V VAC Platform
Line frequency: 60 Hz
UPS: Computer
1996 vintage.
SEZ/LAM RESEARCH RST 201是一種在半導體器件制造中用於減法化學過程的蝕刻器/灰化器。是用於Si、SiO2、SiN、聚酰亞胺、Metal等各種材料精密蝕刻的可靠、高性能平臺。SEZ RST 201具有自動化學源容器管理設備、660 x 940 mm的大型工作包和用戶友好的彩色圖形用戶界面（GUI）。它還配備了一個易於裝卸晶片的集成機器人，以及先進的化學分析技術。LAM RESEARCH RST 201采用了高度先進的蝕刻工藝,可以快速、精確地構建復雜的幾何形狀。蝕刻過程是在一個清潔的低壓室內進行的，以防止除氣並盡量減少汙染。其中包括一個能夠調整蝕刻和保護性氣體比例的氣體混合系統，以滿足特定應用的需要。它還具有可變壓力，可提高工藝速度，減少汙染和磨損，提高蝕刻質量。RST 201包括一個精密的工具控制單元，用於監視和控制蝕刻器/asher的關鍵功能，並在蝕刻過程中監視工藝參數。這樣可以確保準確維護和監控蝕刻過程,以保持產品的最高質量。還包括雙室真空設計，提供低底壓、高背側壓力的低真空壓力環境，進一步增強蝕刻均勻性和生產率。SEZ/LAM RESEARCH RST 201能夠進行濕蝕刻，這是當今半導體行業最常用的蝕刻工藝。它還能夠進行幹蝕刻，化學氣體與要蝕刻的材料表面發生反應。該機器的設計旨在實現高性能過程，並使各種蝕刻圖樣（包括孔和槽）能夠快速準確地蝕刻。SEZ RST 201是一個理想的蝕刻/asher完美的多層蝕刻，圖案，甚至三維結構。此蝕刻器/asher是高度可定制的,可用於創建各種形狀和大小的復雜陣列。LAM RESEARCH RST 201改進的特性和功能,以及用戶友好的GUI,使其成為半導體制造業的寶貴工具。
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