二手 SHIBAURA HCIIW-I-WSU-L #9382336 待售

SHIBAURA HCIIW-I-WSU-L是一種使用幹反應離子蝕刻（RIE）技術的等離子體蝕刻/蝕刻設備。該蝕刻系統由混合室、高頻電源和氯氣電源構成。混合蝕刻器結合了PECVD（等離子體增強化學氣相沈積）和RIE蝕刻器的優點。混合蝕刻器允許沈積保護性塗層，然後對底層材料進行蝕刻。PECVD工藝利用高頻電源形成的等離子體，在塑料、金屬或玻璃等各種基板上蝕刻微結構。另一方面，RIE工藝利用醫用級Cl2（氯氣）將材料蝕刻/蝕刻到亞微米水平。RIE工藝非常適合光掩模模式、集成電路設計等。HCIIW-I-WSU-L利用獨特的壓力控制單元來維持反應室內所需的蝕刻速率和壓力。真空室設計為能夠承受從2 × 10^-2 Torr到133 mTorr的壓力,最高溫度為200 °C。在包括矽、石英和其他介電材料在內的各種材料上,該機器的基本蝕刻速率可達500埃/分鐘。蝕刻過程由專有嵌入式軟件控制,允許根據用戶的需要進行手動和自動控制。此外,嵌入式軟件允許編寫和存儲多個蝕刻配方。蝕刻配方可由用戶進行優化，調整以匹配所需的蝕刻圖案、蝕刻速率和重復性。SHIBAURA HCIIW-I-WSU-L工具是快速原型制作和批量生產的通用資產。它非常適合集成電路設計、光掩模制造和其他需要精確蝕刻/蝕刻結果的高科技應用。此蝕刻器型號可靠、精確、易於使用。