二手 SPTS MPX DSIE / XeF2 #9186565 待售

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ID: 9186565
晶圓大小: 6"-8"
優質的: 1998
Multi-chamber etch system, 6"-8" Configuration: Main body (110” x 63”) With vacuum load locks Transfer chamber ICP Deep silicon etch chamber XeF2 (Xenon difluoride) polysilicon release etch chamber Roughing pump (2) Load lock pumps (2) Chamber pumps Thermco chiller BROOKS MX600 with (2) VCE’s OS: Windows Includes: (3) Chillers Gas box XeF2 Parts box ICP Chamber control box Control boxes Piping Turbo pump Handler (2) Process chambers Loadlock A Loadlock B (4) Gas boxes (3) Pumps Control tower Currently crated and warehoused 1998 vintage.
SPTS MPX DSIE/ XeF2是為生產高品質微米和亞微米結構而設計的蝕刻和asher設備。它使用行之有效的技術,快速準確地蝕刻掉硬金屬、半導體、聚合物和薄膜堆棧等材料。這種蝕刻和asher系統包括一個速度控制的,伺服驅動的濺射源與集成的幹蝕刻和ashing源,以及SCi-MEMS集成的負載鎖定機器人處理。開發該單元的目的是提供最大程度的過程控制,具有均勻性、可重復性、吞吐量和過程性能。DSIE XeF2是專門為需要高長寬比、超高長寬比重入和金屬陣列的幹燥蝕刻和灰化等應用而開發的。此類應用包括高級內存設備、芯片級3D結構、高壓設備和高級封裝。這臺機器的主要優點是能夠精確控制蝕刻和灰化過程,而不考慮材料的復雜性、晶圓尺寸和幾何形狀。DSIE XeF2配備了多站處理、高級源快門控制、獨立的RF和DC偏置調諧以及全面的端點監控功能等高級功能。此蝕刻和asher工具具有較高的靈敏度和準確性,總擁有成本較低。此外,其集成的負載鎖定機器人處理使晶圓交換速度更快,減少了處理單個晶圓所需的時間。DSIE XeF2資產還提供了高度的過程控制,使用戶可以輕松、精確地控制諸如腔室壓力、射頻功率、氣流、偏置功率等過程參數。這種細粒度的過程控制,除了模型強大的計算機控制和監控功能外,還有助於確保可重復性和可重復的過程性能。MPX DSIE/ XeF2蝕刻和asher設備為生產高質量的微米和亞微米結構提供了廣泛的性能優勢和成本效益。它的多用途平臺支持各種工藝能力和功能,其經濟高效的操作可實現更高的產量和利潤,同時還能以經濟實惠的成本提供高精度的材料蝕刻和灰化。
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