二手 STS / CPX Multiplex ICP #293603805 待售

ID: 293603805
晶圓大小: 6"
Deep Reactive Ion Etcher (DRIE), 6" Type: Non-MESC Anisotropic etch Vacuum Plasma Materials: Silicon, SiNx Gases: C4H8, SF6, O2 Photoresist masks Etch rates: 1-2 µm/min Mounted on 6" carrier wafer Load lock Manual.
STS/CPX Multiplex ICP(感應耦合等離子體)是一種用於半導體器件制造和其他應用的蝕刻器/asher設備。這個蝕刻器/灰化器系統使用一個感應耦合等離子體,或ICP,源傳遞一個精確劑量的反應性氣體晶片用於蝕刻或灰化。ICP源使用多頻輸入功率通過(通常)兩個動力總線、發電機線圈和卡盤電極產生電磁場。ICP源采用多種工藝從晶片中沈積和去除材料。第一個過程是從發電機線圈中感應高頻交流功率,以感應卡盤中的電流,這一過程對於蝕刻/灰化至關重要,因為它在晶片上產生局部溫度和壓力梯度,從而啟動所需的蝕刻和氣體沈積過程。在高功率水平下,ICP源也使用第二個過程產生霍爾效應等離子體。在這個過程中,ICP源使用交流和直流功率輸入的組合來創建一個高密度的電等離子體。等離子體是由直流功率產生的電勢差加速的電子形成的,交流功率對蝕刻或灰化過程提供了額外的控制水平。ICP與反應性氣體發生反應,根據需要進行蝕刻或灰化。該過程的ETCH/ASH階段完全由一個獨立的軟件控制,允許精確控制電離、電離時間和總能量等參數。在蝕刻/灰化過程中,ICP與反應氣體中存在的化學物質相互作用,形成等離子體場。當引入晶片時,此等離子體場有助於根據所需的工藝從晶片表面蝕刻或燒灰材料。反應類似於濺射過程,ICP扮演濺射源的角色。除蝕刻/灰化外,STS Multiplex ICP也適用於多種工藝,包括化學氣相沈積(CVD)、離子植入、微掩模沈積和熱輔助蝕刻。蝕刻器/asher單元能夠處理多種基板,包括矽、的和絕緣體上的矽。CPX Multiplex ICP用於從顯示器生產到制造MEMS設備的各種應用。機器的靈活性及其堅固的設計使其成為許多蝕刻/灰化工藝的絕佳選擇。
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