二手 STS / CPX Multiplex ICP #9196059 待售
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ID: 9196059
優質的: 2000
DRIE Etcher
Type of load lock: Single wafer load lock
Process modules: Module 1
Module type: ASE
Process type: Polymers
Wafer handling: Direct
WTC/ ESC: WTC
Material: Silicon
Size: 100 mm
Thickness: Standard
Clamped
Pin lift
Control system / User interface:
Operating system: Windows 2000
Standard control system
Standalone VDU
Keyboard / Mouse
Vacuum load lock with single wafer loader
ICP SC160M Process chamber (MESC)
ICP 240BF Source
RF Supply / Matching unit:
ICP Source: 1 KW (13.56 MHz)
Lower electrode: 300/30 W (13.56 MHz)
Electrode temperature control (+5ºC to +40ºC)
Balun coil ICP design
Gas box and gas lines:
Gas box type: Onboard
Gas lines:
Gas MFC Size Normalized Seal Gas type
Name (sccm) (Yes/No) type (Process/Clean)
C4F8 200 Yes Viton Clean
SF6 300 Yes Viton Clean
O2 100 No Viton Clean
Ar 50 No Viton Clean/Process
CHF3 100 No Viton Clean/Process
CF4 100 No Viton Clean/Process
CO2 100 No Viton Clean/Process
Chillers and cooling circuit:
Lower electrode chiller: Affinity RWA-012
Pumps and pumping lines:
Turbo pump: LEYBOLD MAG900
Chamber backing pump: EDWARDS iH80 (M)
Load lock pump: VARIAN TS600
Power and electronics:
System voltage supply: 208 V, 60 Hz
2000 vintage.
STS/CPX Multiplex ICP是一種蝕刻和灰化設備，用於在矽、聚酰亞胺、石英等基板上產生多種復雜圖樣。該系統結合離子束蝕刻和化學輔助蝕刻/灰化技術，提供高生產率、改進工藝控制和可重復產品。STS Multiplex ICP配備了專有的高能等離子體源（HEPS）和先進的基板定位單元，用於全基板運動控制。該機器能夠處理多達4英寸和6英寸（200毫米x 150毫米）的基板,並具有高達12個″的高介電層和低介電層的加工窗口。它具有高達100 nm的高分辨率,這使其能夠提供比傳統蝕刻/灰化工藝更精細的線寬、清晰的氛圍和更好的陰影。一個集成的氣體輸送工具允許精密蝕刻和灰化加上幾種氣體，包括氮氣、氯氣和氟氣。CPX Multiplex ICP具有較低的耗電量,可提高操作安全性和成本。該資產還采用了先進的過濾模型，以防止任何危險的煙霧和顆粒在整個生產環境中擴散。通過利用改進的工藝控制和基板運動能力,這種蝕刻/灰化設備可以實現更高的吞吐量和更一致的工藝結果。Multiplex ICP憑借其高能等離子體源，還能夠處理包括矽、聚酰亞胺和石英在內的多種材料類型。此外，它還可以加工極厚的層，最多100 µm。STS/CPX Multiplex ICP通過增加包括各種步驟的專有工藝序列進一步改善了蝕刻/灰化性能，從擦洗（從表面去除顆粒）到蝕刻（用於在材料中創建模式）和灰化（用於去除多余材料）。它還有一個可調的偏置電源系統，以改進過程調整和精確的結果。總體而言，STS Multiplex ICP是一個先進的蝕刻和灰化單元，適合生產和研究操作。它具有改進的過程控制和吞吐量速率、用於更好的陰影和陣列的高分辨率、用於提高安全性的低耗電量以及用於確保可重復結果的專有過程序列。
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