二手 STS Pro ICP #293605254 待售
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ID: 293605254
晶圓大小: 6"
Advanced Oxide Etcher (AOE), 6"
Inductively Coupling Plasma (ICP)
Backside helium cooling
8-Pins clamp
Lip seal
Masks: Si, PR, Metals (Cr, Ti, Ni)
Gases: C4F8, SF6, O2, H2, CF4, (2) Open gas slots
Process pressure: 2-80 mT
Substrate size: 6"
Temperature range:
Platen: -20°C to 120°C
Walls: 100°C
Lid: 120°C
Materials etched:
SiO2
Quartz
Pyrex
Fused silica
Si3N4
Bulk silicon
Capabilities:
2.5 µm on 8-10 µm TEOS
Etch rate: >2000 A/min SiO2, >4:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±3%
5 µm on 3-10 µm SiO2
Etch rate: >3000 A/min SiO2, >7.5:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±2%
Power supply:
ADVANCED ENERGY Coil: 3000 W, 13.56 MHz
ENI Platen: 1000 W, 13.56 MHz.
STS Pro ICP是一種非常適合ICP（感應耦合等離子體）應用的高級蝕刻器/asher。它經過專業設計,可提供精確、高效和擴展性的蝕刻功能,具有超快的蝕刻時間和對關鍵工藝參數的嚴格控制。Pro ICP具有一個12英寸x 13英寸（約30.48厘米x 33.02厘米）的主動蝕刻臺,帶有一個改進的狹縫閥蝕刻器,用於控制蝕刻階段的工藝氣體和壓力。蝕刻臺配備了全底視攝像頭監控，以便對過程進行精確控制。這種蝕刻器的另一個特點是桌面的「烘烤」功能，為各種蝕刻工藝提供熱過程控制。STS Pro ICP的核心是RF生成器和ICP源裝配。該組件還包括負載匹配網絡和電動功率可固定電容器，用於對ICP源進行精確和可重復的控制。Pro ICP的製程室由鈦製成，提供持久有效的蝕刻環境。一旦晶片被放置在腔內，蝕刻過程可以通過簡單地按幾個桌面上的按鈕來啟動。STS Pro ICP還具有帶有質量流量控制器的過程氣體供應、甲烷/氮氣/氙氣混合物和變頻驅動器，以精確調節ICP源並與負載匹配。總之，ProICP是一種先進且用途廣泛的蝕刻器/asher，非常適合ICP（感應耦合等離子體）應用。其強大的設計、精確的控制和廣泛的蝕刻功能使其成為滿足一般和精確蝕刻需求的理想選擇。
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