二手 STS / SPTS ICP DRIE #9248907 待售
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ID: 9248907
晶圓大小: 4"
Advanced Oxide Etcher (AOE), 4"
Module 1: Single slice loadlock
Module 2: AOE Chamber and rack
Module 3: Pneumatic and vacuum system.
STS/SPTS ICP DRIE(感應耦合等離子體深反應性離子蝕刻)是一種先進的功率蝕刻系統,在半導體工業中被廣泛采用。該系統是作為傳統蝕刻器的替代品而開發的,因為它以較低的成本提供了更高的準確性、多功能性和多功能性。STS ICP DRIE由多種組件組成,包括ICP源、真空室、晶片卡盤、晶片掩模、計算機控制的射頻發生器、高精度XY運動臺和先進的氣體輸送系統。SPTS ICP DRIE的蝕刻過程是通過在一個封閉的腔室內產生等離子體而啟動的。等離子體產生的能量用來蝕刻腔內的材料,典型的是矽和其他半導體材料。蝕刻參數的選擇(例如基板溫度、射頻功率和蝕刻速率)由射頻發生器處理,射頻發生器提供對蝕刻動力學的精確控制。然後,在晶片上沈積一個含矽蝕刻層,以防等離子體環境。最後,利用晶片掩碼指導特定區域的局部蝕刻.在操作中,ICP DRIE設備通常位於潔凈室環境中。這個過程開始於將晶片加載到蝕刻器的真空室中。然後將晶片放入晶片卡盤並夾緊到位。蝕刻過程由射頻功率的應用引發,射頻功率在封閉的腔室內產生等離子體,並導致晶圓表面蝕刻。整個過程由電腦不斷監控,電腦負責控制驅動過程的一組參數。通過對蝕刻工藝參數的精確控制,可以實現對所需圖案的極其精確的復制。在蝕刻過程結束時,將晶片從腔室中卸載,檢查和測量各種參數,例如尺寸、厚度和表面質量。簡而言之,STS/SPTS ICP DRIE代表了一種先進的功率蝕刻技術,它提供了比舊式蝕刻系統更高的控制和精度。適用於蝕刻包括矽等半導體材料在內的多種材料,非常適合用於生產集成電路和其他半導體器件。
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