二手 STS / SPTS Multiplex ICP #293666162 待售
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單擊可縮放
ID: 293666162
晶圓大小: 6"-8"
優質的: 2002
Etcher, 6"-8"
Electrical requirements: 208 V, 60 Hz, 40 A/phase
(1) Chamber
(2) Load stations
Carousel vacuum load lock
Helium Backside Cooling (HBC)
Clamp type: Standard WTC
Gases: C4F8 (200 sccm), SF6 (1000 sccm), O2 (200 sccm), Ar (50 sccm)
EBARA AAL10 Load lock pump
EBARA A30W Chamber pump
LEYBOLD MAG 2000CT Turbo pump
LEYBOLD MAG DRIVE 2000 Turbo pump controller
ADVANCED THERMAL SCIENCES / ATS DEX-20ADI Chiller
ENI ACG-3B RF Generator 13.56MHz, 300W
ADVANCED ENERGY RFG 3001 RF Generator, 3kW
2002 vintage.
ICP(電感耦合等離子體)蝕刻器/灰化器是用於制造微電子器件的專用設備。它使用單晶圓、多重晶圓和多棧基板配置執行濺射蝕刻和等離子體蝕刻過程的組合。ICP蝕刻器經常結合真空系統、蝕刻室、射頻發生器和工藝室。在腔室中,單層或多層基板構型被放置在架子上,在架子上方和/或下方引入有方向的蝕刻氣體流。可以使用多種不同的蝕刻氣體混合物,對底物達到不同的效果,從物理蝕刻到化學蝕刻和沈積。蝕刻氣體在產生等離子體的真空室中被射頻發生器電離。根據底物的不同,產生的等離子體可能會或可能不會在蝕刻過程中發揮作用。ICP技術經常與STS(基板轉移基板)和/或SPTS(濺射等離子體轉移基板)工藝相結合,用於同時蝕刻和/或粉刷多種基板。這種多路復用消除了在每個基板上重復蝕刻過程的需要,從而提高了吞吐量。STS/SPTS和STS技術都涉及一種特殊的杯狀轉運器,該轉運器裝有單個基板並轉移到蝕刻室中。SPTS技術使用單個基板支架,其中正負電極位於杯子的相對兩側,都暴露於等離子體。然後將該支架移至蝕刻室,並在基板上執行蝕刻過程。STS/SPTS工藝相似,只是杯狀轉運器在移動到蝕刻室時同時包含多個基板。這樣,可以對腔室中的同一組基板應用多個過程。這對於在多個基板上實現均勻蝕刻特別有用,因為不需要為每個單獨的基板重新設置或重新啟動蝕刻過程。綜上所述,用於STS多重基板配置的ICP蝕刻器結合了真空系統、蝕刻室、射頻發生器和工藝室,在多個基板上同時進行濺射蝕刻和等離子體蝕刻過程的組合。這提供了一種更快、更高效的蝕刻多種基材的方法,同時在蝕刻過程中保持均勻性。
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