二手 TEGAL 901e #70080 待售
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ID: 70080
晶圓大小: 4" - 6"
plasma etcher, 4"-6" capability
Silicon dioxide Plasma Etcher
Cassette to cassette
13.56 MHz ENI RF Generator, 1000W
Microprocessor control
Non-friction spatula wafer transport.
TEGAL 901e是專門為半導體應用開發的先進蝕刻器。這是一個「獨立的」設備,由一個旋轉的外部和內室設計,提供統一的處理結果。特點包括高通量,晶片處理能力高達三個單元,均勻蝕刻效果和優越的清潔度。該系統內置了易於使用的功能和動態交互式顯示器的可編程控制器。直觀的圖形用戶界面(GUI)可用於自定義參數和監視每個進程的進度。該軟件還允許通過直接串行通信鏈路或TEGAL Corporation專門開發的流行遠程控制協議(RCP)進行遠程控制。TEGAL 901 E使用直接、間接或組合等離子體源對半導體晶片進行蝕刻或表面處理。該裝置使用氣體控制裝置(GCU)監測和控制蝕刻過程中使用的氣體。GCU的程序具有氣體濃度特征,能夠支持多達16個工藝階段。晶片水平放置在機器中,然後以可編程速度以順時針或逆時針方向自動運輸。該工具的每個晶片部分都有一個孤立的等離子體源,可以對晶片進行更多的離子轟擊,從而產生更好的蝕刻效果。901e先進的蝕刻室設計具有優異的工藝一致性、最小的顆粒汙染和最大的吞吐量。蝕刻室以一致的溫度進行壓力控制,形成均勻的蝕刻環境。901 E資產提供了多種可重復的過程和配方,可供將來使用。TEGAL 901e的控制是以三軸運動控制模型為基礎,采用積分PID環路控制,提供了最佳蝕刻環境。該設備還具有一個振蕩蝕刻選項,可用於提高具有圓形幾何形狀的零件的均勻性。TEGAL 901 E是蝕刻和表面處理半導體晶片的理想系統。其用戶友好的GUI、先進的蝕刻技術和靈活性是生產高度可靠的半導體器件的理想之選。
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