二手 TEGAL 901e #9290041 待售

TEGAL 901e是為半導體、MEMS和復合器件制造的高密度等離子體門控蝕刻和灰化而設計的蝕刻/灰化設備。該系統具有較高的蝕刻速率和均勻性，排便率極低，對光致抗蝕劑選擇性高。它旨在提供精確的蝕刻深度控制、快速和可重復的蝕刻速率以及通過快速坡道和浸泡過程造成的低損傷。TEGAL 901 E單元通過各種蝕刻化學方法提供了改進的表面平面化，包括反應性各向同性蝕刻、金屬蝕刻（包括銅蝕刻）、絕緣體蝕刻以及各種蝕刻化學方法。其獨特的設計特點包括高密度端點模塊、雙晶片加載和高功率石英區源負載鎖定選項。該機器還提供先進的光學端點檢測、自動晶圓交換功能和漂移補償。901e利用電磁誘導等離子體資源和高密度等離子體輔助蝕刻。這包括電子回旋共振（ECR）和感應耦合等離子體（ICP）構型，兩者都提供高蝕刻速率、低基板損傷和對蝕刻深度的高可控性。等離子體源壓力低、密度高，射頻功率範圍為10至150 W，工作頻率為95 kHz至13.56 MHz。901 E提供多種蝕刻化學，完全控制氣體流量、壓力和輸送，以及晶圓停留時間。對於預定義的配方，它具有註冊每個蝕刻步驟的均勻性和可重復性的能力。該工具還通過先進的光學和紅外端點檢測系統支持自動化處理和端點檢測，從而實現高效和可靠的處理。該資產具有高度集成的設計和高效的物料處理解決方案,可方便地處理晶圓。它還能夠同時管理多達三個反應堆腔室，其先進的安全特性包括蓋子互鎖模型、吹掃電路和火柴棒探測器。其用戶友好的圖形用戶界面使其易於使用，並允許改進對蝕刻和灰化過程的控制和監控。總體而言,TEGAL 901 e為半導體蝕刻和灰化工藝提供了可靠且經濟高效的解決方案。其先進的蝕刻化學性能、高蝕刻速率、一致的均勻性、低排便性和對光刻膠的高選擇性，使其成為微電子和MEMS制造應用的理想選擇。