二手 TEL / TOKYO ELECTRON Trias #9094190 待售
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ID: 9094190
晶圓大小: 12"
優質的: 2005
CVD System, 12"
(3) TDK TAs3000 FOUP loaders
SPA-N components
Chamber parts:
Manufacturer Model Description
TEL - Slot antenna
TEL - Susceptor heater
TEL - Quartz liner
TEL - Susceptor cover
TEL - Baffle cover
MKS 626B01TBE Capacitance manometer (133Pa)
MKS 626B11TBE Capacitance manometer (133Pa)
MKS 623B-28316 Capacitance manometer (133kPa)
V TEX IRF-07084-2-01 Gate valve
Vacuum system:
Manufacturer Model Description
EDWARDS STP-A1603B Turbo molecular pump
Fuji Imvac HV-40N-R Throttle valve on a high pressure line
VAT 65046-PH52-AHS1 Throttle valve on a low pressure line
SMC XLA-40G-M9 Hi-vac valve on a high pressure line
SMC XLA-63A-M9 Hi-vac valve on a low pressure line
Exhaust system:
Manufacturer Model Description
Tokyo Flow Meter FF-MRA85-1-TYL1 Flow meter for cooling water
FF-MRA80-1-TYL1
Toyokokagaku RS-2000CA / RS-2000F-6417 Water leak sensor
SMC INR-497-100-X048 Chiller
Others:
Manufacturer Model Description
Nihon Koushuha MKN-502-3S2B03-OSC H-Wave power supply unit
Nihon Koushuha AMC-95Q1-CONT5 Auto matching unit
2005 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Trias是為半導體器件生產和研發而設計的等離子體蝕刻器/ascher。TEL Trias蝕刻器具有多槍熱PECVD（等離子體增強化學氣相沈積）源，能夠在多層材料上進行高速、高度詳細的蝕刻。它還擁有一項專利的應用負偏置（ANB）技術，用於控制等離子體密度，使所有基材的蝕刻深度均勻。該蝕刻器易於操作，具有自動化的過程控制和可編程的參數，允許低成本和最大產量的操作。TOKYO ELECTRON TRIAS蝕刻器的底物溫度可編程至370C,以便精確蝕刻。該工藝在低壓下運行，蝕刻工藝在真空室中使用電流控制的偏置功率完成。Trias蝕刻器能夠產生高精度的蝕刻，具有較高的工藝重復性和較小的工藝誤差。它還能精確蝕刻包括多晶矽、SiO2、III-V材料在內的材料。TEL/TOKYO ELECTRON TRIAS蝕刻器有防汙染措施，包括藍寶石敏感劑、氟碳凈化氣體和源溫度監測器。該蝕刻器旨在最大限度地減少顆粒汙染，並具有先進的低顆粒過濾系統，以提高清潔度。TEL Trias具有高吞吐量、易操作、精密的等離子體控制,是任何半導體器件生產或研發過程的頂級蝕刻器。
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