二手 TEL / TOKYO ELECTRON Trias #9357266 待售
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ID: 9357266
晶圓大小: 12"
優質的: 2006
CVD System, 12"
Process: BL GL Ti Dep
BROOKS AUTOMATİON TLG-LON Load port, (3) FOUPs
SHINKO SELOP12F25-30A-13
SHINKO SBX92101286-3 FI Robot
FUJI M-UPS050J22L-UL UPS
SANEI GIKEN TL7KCPVB-2P Chiller
MPD
Transformer box
Mainframe:
YASKAWA XU-RVM4100 Buffer robot
V TEX I-I-98009-2-1 LLM1.2 Gate valve
KITZ DOUBLE ACTION Chamber gate valve
Process chambers: PM1, PM2, PM3, PM4
Single wafer chamber
With stage heater
RKC INSTRUMENT INC Module heater controller
TEL TMC2001 Module heater controller
Column trap
KYOSAN HFK15Z-TW1 RF Generator
KYOSAN EAKIT RF Matcher
VERIFLO SQ-MICRO-602PUPGPA Regulator
LEYBOLD TSR211S Pirani sensor
INFICON VSA100A Pressure Sensor
MKS 626A01TDE Capacitance manometer
LEYBOLD CDG160A-S 1330PA Capacitance manometer (1333Pa)
LEYBOLD CDG160A-S 133PA Capacitance manometer (133KPa)
STEC VC131004ST20 Vaporizer (TiCL4)
Gases:
Gas / Make / Model / Valve
MFC2 / ClF3 / SAM / SFC1470FA / 500 SCCM
MFC5 / Ar / SAM / SFC1480FA / 5 SLM
MFC6 / H2 / SAM / SFC1481FA / 300 SCCM
MFC7 / NH3 / SAM / SFC1480FAPD / 0.6/2 SLM
MFC8 / N2 / SAM / SFC1480A / 2 SLM
MFM / TiCl4 / STEC / SEF-8240 / 20 SCCM
2006 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Trias是一種用於半導體材料微加工的蝕刻器/asher。該裝置采用等離子體增強化學氣相沈積（PECVD）工藝，將材料薄層沈積到基板表面上。設備在真空中工作，利用在等離子體室中燃燒掉的氣源，形成一層厚度受控的所需材料的薄膜。蝕刻器/粉碎器還具有很高的選擇性，可以對沈積層進行精確蝕刻，從而能夠極其精確地制造半導體材料特征。這是通過將各種氣體從單獨的氣體管線排放到腔室中來實現的。TEL Trias 'RF Generator產生一個高頻信號，從氣體中產生等離子體，然後被定向到基板表面。TOKYO ELECTRON TRIAS還提供蝕刻工藝，利用兩步系統。蝕刻氣體與提供產生蝕刻產物所需物種的反應性氣體一起通過腔室。在此過程中，腔室在降低的大氣壓（小於100 mtor）下運行，遠離腔壁，有助於使等離子體保持在最佳溫度。此外，Trias 蝕刻器/asher能夠精確控制蝕刻過程，以達到高精度和均勻性。該設備具有多種功能，如程序成功報告和過程監測系統，以確保可重現的蝕刻和沈積特性。這是最重要的，因為它確保每一個設備產生最高的質量水平。再者，射頻發生器與3D射頻發生器耦合，對晶圓負載、對準和晶圓溫度條件下的不均勻沈積提供有效補償。這確保了均勻的蝕刻和沈積過程，這對於制造高質量的微電子器件是必不可少的。總體而言，TEL/TOKYO ELECTRON TRIAS對於各種蝕刻和沈積應用極為有用。其先進的特點和簡單的操作使半導體器件能夠在受控環境中精確制造。由於其直觀的布局和能力，TEL Trias是當今現代微制造行業必不可少的工具。
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