二手 TEL / TOKYO ELECTRON Unity IIe 85DD #143996 待售
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已售出
ID: 143996
Dry etcher, 8"
Process: Dry etch, DDA Plasma etching
Software version: 3.60
Loading configuration: Single cassette / Single wafer
Version: VER 3.40 - REV 206 - TIW - 3.50b
(2) Ceramic electrostatic chuck hardwares
(2) He cooling systems
(2) Cassette load lock protection
(2) ENI RF Generators
(2) ENI Special automation matching networks
NESLAB Dual high temperature chiller
Optical wafer orientation system
(2) Optimized chambers for 8" wafer processing
(2) Mechanical robot arms with (2) blades
(2) SEIKO SEIKI Turbo-molecular pumps
Additional EMO for dry pump
Maintenance controller
(2) Direct pressure monitors
Process configuration:
Position / Description / Gases used
Position 1: Cassette chamber 1: N2
Position 2: Cassette chamber 2: N2
Position 3: Transfer chamber 3: N2
Position 4: Process chamber 1: N2, O2, Ar, CF4, C4F6, C4F8, CHF3
Position 5: Process chamber 2: N2, O2, Ar, CF4, C4F6, C4F8, CHF3
Position 6: PA Chamber: N2
Currently warehoused
AC 208 V, 50/60 Hz, 3-Ph, 225 A
1997 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON UNITY IIe 85DD是一款精密等離子體蝕刻器，為制造商提供先進工藝。它配備了負載鎖定的高密度等離子體源，能夠快速啟動過程和穩定的高通量蝕刻和灰分過程。TEL高級E-pack配方平臺將工藝配方與AUTO-TUNE介電蝕刻和Auto-TUNE淋浴頭工藝集成在一起，優化了介電蝕刻，提高了晶體管性能。TEL Unity IIe 85DD提供了多種可定制的蝕刻和灰分工藝,包括幹蝕刻、幹釋放、幹等離子體蝕刻和過度蝕刻。幹蝕刻工藝是一種幹燥蝕刻工藝，蝕刻速率高達每分鐘0.2 nm，非常適合制造用於DRAM、閃存和其他高端集成電路的高性能晶體管。幹釋放過程允許晶圓級通過使用等離子體條件釋放掩蔽層，使底層降解，同時在頂層進行反推。幹等離子體蝕刻工藝產生長寬比低於3的超低角度蝕刻型材，而過度蝕刻工藝則采用高源功率型材實現最佳蝕刻型材。TOKYO ELECTRON UNITY IIE 85 DD利用先進的氣體分配設備，對工藝中使用的蝕刻和灰燼氣體進行精確控制和監測。淋浴頭和負載鎖定的高密度等離子體源相結合，在晶片表面上提供高度均勻的離子轟擊，從而在較高的沈積速率下形成均勻的蝕刻剖面，提高晶片產量。TOKYO ELECTRON UNITY IIe 85DD還配備了先進的閉合控制環路系統，可連續監控蝕刻和灰燼工藝條件，並向配方控制單元提供反饋以提高工藝精度。此外，UNITY IIE 85 DD為安全操作和易用性而設計。蝕刻器/asher配備了高分辨率的12英寸觸摸屏控制面板,以及3D托盤查看功能,可輕松查看蝕刻和灰燼處理結果。Unity IIe 85DD包括一臺全面的監控機器,可持續監控過程以確保安全運行,從而改善正常運行時間並最大限度地減少清潔時間。總體而言，TEL/TOKYO ELECTRON UNITY IIE 85 DD是一種可靠、用途廣泛的等離子體蝕刻器和灰化器，為制造業提供優化的高通量工藝。其可靠的蝕刻和灰燼工藝、可定制的氣體分配工具、先進的閉合控制環路資產和直觀的用戶界面,使其成為中小型制造應用的理想選擇。
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