二手 ULVAC CE-300I #9206958 待售
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ID: 9206958
晶圓大小: 3"
優質的: 2007
ICP Etcher, 3"
Load-lock type: ISM
Load-lock chamber
Sample size: 75 mm
Process reliability / Accuracy:
RF Discharge source: Inductive coupled plasma
RF Frequency: 13.56 MHz
Discharge impedance: Auto control
Purge gas: N2
Temperature control: Water circulator / He gas
Wafer hold type: Electrostatic chuck
Target materials: Mo, TiN, NbN, Si
QUARTZ Wafer tray
UBE RID-2 UV Ozone cleaner
THERMO ELECTRON NESLAB Merlin M75 chiller
Power supply: 208-230 V, Single phase, 10.1 A
UBE INDUSTRIES UBE RID Exhaust gas treatment device
Gases: O2, Chlorine gas, acid gas
ULVAC Abatement pump
Gases: O2, N2
RF Power:
ICP Assembly upper electrode: 1000 W
RF Biased lower electrode: 300 W
Load lock gases: SF6, CF4, C4F8, O2
Process / Gases: Pressurized air, He, N, Ar, O, SF6, CF4, B(OH)3, Cl
Plasma concentration: 1 x 1011 cm³
Etching operation pressure: 0.07 ~ 10 Pa
Etching rate: 200 nm ~ 500 nm/min
Uniformity: ±5% or less
Substrate temperature control: Electrostatic chuck
Manual included
Power supply: 200 V, 3-Phase, 22.0 kVA
2007 vintage.
ULVAC CE-300I是專門為半導體應用而設計的蝕刻器/asher。該設備配備了先進的電容耦合電感加載（CCIL）等離子體源，提供比傳統射頻系統更高的蝕刻速率。該系統設計易於使用，並提供經濟高效的蝕刻工藝。CCIL等離子體源也提供了一個極可重復的蝕刻剖面，與其他等離子體源相比底切非常小。該單元具有350毫米x 350毫米的加工室，允許一次處理更大的基板。該機還具有基板內部頂部冷卻功能，有助於降低半導體加工過程中遇到的臨界溫度。CE-300I還通過位於整個工具上的多個熱電偶對腔室和基板進行精確的溫度控制。這樣可以確保蝕刻過程始終是可重復和可靠的。ULVAC CE-300I具有獨特的觸摸屏界面,易於使用。此界面允許用戶根據需要快速訪問資產信息、監視流程參數和調整流程設置。這也允許遠程監視模型，允許用戶從任何位置密切關註蝕刻過程。該設備還采用配方模式，允許用戶保存和重復使用以前使用的流程，以提高效率和一致性。CE-300I具有獨特的氣體輸送系統，最多可配備四個伺服控制散裝氣體控制器，提供精確的氣流控制，以實現最大的過程均勻性。該裝置還利用高精度的質量流控制器進行更精確的氣體輸送。氣櫃還設有真空卡盤機，允許在過程中均勻控制底壓。除了蝕刻工藝外，ULVAC CE-300I還具有可選的電離金屬輔助化學蝕刻（IMAGE）模式，用於更精確的小特征蝕刻。IMAGE模式提供了更定向、更受控的蝕刻過程，使用戶能夠蝕刻小於50 nm的特性。總體而言,CE-300I是一款高級、緊湊的蝕刻器/蝕刻器,具有強大的功能,可提供經濟實惠的蝕刻工藝。其獨特的CCIL等離子體源和觸摸屏界面提供了優於傳統射頻系統的均勻性和重復性。該工具還具有精確的溫度和氣流控制功能,以及用於高級蝕刻應用的可選IMAGE模式。
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