二手 BOC EDWARDS Zenith III/V #151206 待售
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ID: 151206
MOCVD AIXTRON scrubber
Electrical supply:
Voltage: 208V
Phases: 3
Frequency: 60Hz
Conductor size required: 6 mm^2
Maximum current consumption:
iH80 pump: 14.6A
QMB500F pump: 8.8A
TPU: 20A
Circuit breaker ratings (system control unit):
CB1: 6A
CB2: 6A
CB3: 10A
CB4: 6A
Fuse ratings (system control unit):
F1: 3.15A
F2:
F3:
F4: 3.15A (5V DC)
F5: 1A (12V DC)
F6: 3.5A (24V DC)
Conductor colors used:
> 100V: black
AC line neutral: white
24V AC: red
24V AC return: white
24V DC positive: violet
24V DC negative: brown
Signal return: pink
Earth (ground): green / yellow
Earth (ground) leakage circuit breaker: 30mA
Fuel gas flow:
Fuel gas:
Type: Methane
Calorific value: 36.9 to 42.3 MJ/min^3, 972 to 1114 BTU/s ft^3
Supply pressure: 1 to 10 psi, 0.07 to 0.7 bar
Flow rate: 37 L/min
Nitrogen:
Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa
Flow rate:
Into the TPU: 15 L/min
Into the pumping system: 50 L/min
Compressed dry air:
Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa
Flow rate (for each TPU inlet): 30 L/min.
BOC EDWARDS Zenith III/V是一款用途廣泛、開放式架構的等離子體蝕刻設備，專為微電子器件制造、MEMS器件、半導體晶片等多種高精度應用而設計。此蝕刻系統具有高度可配置性,可針對多種流程進行定制。該單元具有緊密的外殼,旨在最大限度地提高操作過程中的安全性和效率。設有三個獨立控制的工藝室；用於等離子體蝕刻的主腔室、用於灰化操作的可選UVA/N2O腔室和用於濺射沈積的CVD腔室。BOC EDWARDS Zenith III/V由兩個主要部件組成：加工室機櫃和控制單元。室櫃有許多特點和部件，如等離子體蝕刻室、幹蝕刻室、遠程等離子體源、直流電源、基板支架和氣體輸送系統。控制單元與進程室機櫃接口，並提供廣泛的功能，包括流程參數控制、數據記錄和分析，以及用戶友好的圖形界面。BOC EDWARDS Zenith III/V具有低壓等離子體蝕刻工藝，為蝕刻提供高度的控制和重現性。該過程在蝕刻室中進行,並由遠程源供電。蝕刻過程通過控制單元進行控制,可針對壓力、時間、溫度和顯示等各種參數進行配置。可選的UVA/N2O室設計用於灰化操作，利用紫外線輻射從表面選擇性去除有機化合物。該腔室還由自己的遠程源供電，確保與蝕刻腔室隔離的過程。CVD室用於濺射沈積，一種在基板上產生金屬或其他材料薄膜的技術。腔室配備了幾個特點，包括溫度控制、壓力控制以及調節電離電流的能力。中銀EDWARDS Zenith III/V是一款先進、用途廣泛的等離子體蝕刻機，適用於多種高精度應用。它提供了高度的過程控制，高質量的結果，並為提高安全性和效率而設計。適用於微電子、MEMS器件制造、半導體晶片等多種薄膜應用。
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