二手 EATON NOVA / AXCELIS GSD 200 HE #293829786 待售
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ID: 293829786
晶圓大小: 6"
Ion implant, 6"
(4) Cassettes
Standard specific layout
ELS Source
Source analyzer magnet, FEM
Y Scan and rotary drive
Beam energy configuration:
Beam energy: 0 ~ 1200 keV
Extraction mode: 0 ~ 90 keV
Linac mode: 90 ~ 1200 keV
Vacuum pump system:
Turbo pump: SEIKO SEIKI Pump STPA2203C2
Turbo pump (LINAC): Pump P039 STP603C
Cryo pump (beam line and chamber): CTI-On board-8, CTI-On board-10
Cryo pump (beam line and chamber): CTI-On board-8, CTI-On board-10
Cryo compressor: CTI-9600
Dry pump: QDP-80 (Three units)
Gas / Model / MFC Type
PH3 / MFC / SDS
BF3 / MFC / Standard
XENON / MFC / Standard
Ar / MFC / Standard.
EATON NOVA/AXCELIS GSD 200 HE Ion Implanter&Monitor是一款先進的植入器設備,旨在滿足半導體行業的苛刻需求。它能夠植入多種離子種類,包括硼、磷、砷和氧。該系統可用於植入多種材料,包括矽片,以及其他化合物如多晶矽。由於其高劑量率和精確的光束控制系統,它具有很高的吞吐量能力。該裝置具有多個最先進的離子傳感器,可監控離子束中的參數並優化植入器的性能。這樣可以確保這些參數保持在最高質量植入的可接受範圍內。各種控制系統有助於確保保持適當的劑量以達到預期的效果。該機還提供手動控制和自動化儀表操作。AXCELIS GSD 200 HE還配備了多種安全特性。這些功能有助於確保離子束和工藝環境對操作員保持安全。它具有內置故障監控工具,可在檢測到潛在危險情況時向用戶發出警報。此外,資產還配備了防爆真空隔離室,有助於防止材料意外從加工室釋放。EATON NOVA GSD 200 HE旨在降低半導體行業的成本和提高效率。其創新的離子監測和控制系統使其能夠快速、高精度地達到更高的劑量。此外,其高速冷卻模型還確保晶片在植入後快速均勻冷卻,減少設備停機時間,提高晶片產量。該設備還旨在減少廢物和盡量減少汙染,從而提高產量和提高操作效率。總體而言,GSD 200 HE是一款先進的離子植入器,它結合了最新技術和可靠的可靠性,為半導體行業提供了卓越的植入性能。其精確的控制系統、先進的安全特性和高效的操作使其成為任何半導體應用的理想選擇。
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