二手 NISSIN Exceed 2000 #9223171 待售
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單擊可縮放
ID: 9223171
晶圓大小: 3"-4"
優質的: 1997
Medium current ion implanter, 3"-4"
PN: E95-3005
Energy range: 10-200 kV
(4) Cassette stages
(2) Loadlocks: Left and right
(2) Orienters: Auto-flat / Notch find
Ion source chamber
Beamline chamber
End station chamber
Pumps:
Dry pumps:
Make / Model / Class
ALCATEL / Drytel 34C / Load / Lock (DP-4), 450 L/sec
ALCATEL / Drytel 31 / Target chamber (DP-3), 450 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / F.E.M (DP-2), 1500 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / S.A.M / lon source (DP-1), 1500 L/sec
Turbo pumps:
Make / Model / Class
SHIMADZU / TMP51G / Load / lock (TP 4 and 5), 55 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / F.E.M (TP-3), 800 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / S.A.M (TP-1 and 2), 800 L/sec
Cryo pumps:
Make / Model / Class
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Target chamber (CP-2), 4000 L/sec
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Collimator (CP-1), 4000 L/sec
DAIKIN U110CW Compressor
Process gas:
SiF4 (0.35L): 200 keV, Si+200 µA - 20 µA, SI++ 20 µA - 5 µA, 5E12
Ar (0.35L): 200 keV, 1000 µA, 5E12
High voltage range:
Extraction power supply: 0 keV - 70 keV
Acceleration power supply: 0 keV - 180 keV
Power supplies (Assembly):
Arc
Filament
SAM
ACC
DEC
Focus
TRIM-Q
FEM
Column
DC / AMP
Faraday suppression
ISO TX 160 kV
HV Stack 160 kV
Controllers (Assembly): BSM, FEM, P/C, SAM, W/C, WFC, V/C, I/C, O/F, TQ, T/C, I/G, T/P
Utilities:
Air: 100-150 PSI
N2: 40-150 PSI
Cooling water: 60-150 PSI
Temperature: 4°C - 21°C
Operating system: Windows XP
Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 65 kVA
1997 vintage.
NISSIN Exceed 2000是為高性能半導體制造而設計的先進離子植入器和顯示器。該設備使用最先進的電子、傳感器和控制系統，將離子精確植入一系列材料中，從而產生一致、均勻、可重復的產品質量。該系統提供了廣泛的植入參數，可以很容易地調整，以滿足具體的設計和工藝要求。該單元的主要功能是進行離子植入。通過使用種類繁多的植入參數，如離子種類、植入深度、植入角度、束能量等多種參數，用戶能夠定制植入物以匹配所需的應用。該機器還允許存儲多個可定制的程序,以節省時間並最小化設置時間。顯示器是工具的集成組件,用於監視植入過程中的進程狀態和當前參數。此監視器是確保在整個過程中保持正確植入參數的關鍵組件。該監視器還提供有關劑量和耐受誤差的實時反饋,以改進控制。該資產具有很高的可靠性和可重復性,非常適合生產大量和廣泛的工藝要求。其強大而自動化的設計確保即使是最具挑戰性的應用程序也能得到一致的質量和可重復性。超過2000為用戶提供了具有多個可定制參數的可靠且可重復的自動植入模型。它旨在滿足半導體制造中最苛刻的要求，是工業生產的理想選擇。設備的集成顯示器有助於確保植入參數在整個過程中保持一致,從而提高產品質量。
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