二手 NISSIN Exceed 2000A #293775733 待售
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ID: 293775733
優質的: 1999
Ion implanter
ULVAC Cryo-U8HSP Cryo pump
ULVAC Cryo-U12HSP Cryo pump
SHMADZU Turbo molecular pump
Chiller
Gases: Boron trifluoride, Arsine, Phosphine
1999 vintage.
NISSIN Exceed 2000A是一種高性能的離子植入器和監控設備，旨在為半導體行業的廣泛應用提供精確可靠的離子植入過程。這套先進的系統提供了一套全面的特性和功能，使用戶能夠以最高的效率和準確性實現卓越的植入效果。NISSIN EXCEED 2000 A配備了多用途的離子源，可以產生多種離子種類，包括硼、磷、砷和其他半導體制造常用的摻雜劑。離子源可以很容易地配置，以滿足不同植入過程的具體要求，讓用戶實現對能量、電流密度、劑量等離子束特性的精確控制。Except 2000A的主要優點之一就是其先進的束線設計，確保在整個植入過程中最優的離子束傳輸和聚焦。該單元以一系列靜電和磁性透鏡為特色，有助於最小化光束發散，保持高光束質量，導致整個目標表面均勻植入。此外,機器的光束線還配備了先進的診斷工具,能夠實時監控光束參數,從而使用戶能夠快速識別和糾正與所需植入條件的偏差。在植入控制和自動化方面,EXCEED 2000 A提供了一個非常直觀的用戶界面,可輕松訪問各種流程參數和操作設置。該工具的軟件允許用戶創建定制植入配方，精確控制植入深度、劑量分布和植入角度，確保設備性能和產量最佳。此外,資產的自動化功能允許與其他工藝設備（如掩碼對齊器和晶圓處理器）進行無縫集成,以簡化整個制造過程並提高吞吐量。在過程監控和表征方面,NISSIN Exceed 2000A提供了一套綜合的現場計量工具,用戶可以實時評估和優化植入結果。這些工具包括二次離子質譜（SIMS）、盧瑟福反向散射光譜（RBS）和薄片電阻測量能力，使用戶能夠以高精度和準確性評估摻雜劑分布、深度剖面和植入晶片的電性能。通過提供詳細的過程反饋和分析，這些計量學工具幫助用戶微調植入配方並實現所需的設備性能特性。總體而言,NISSIN EXCEED 2000 A是一種先進的離子植入器和顯示器模型,它結合了先進的技術、精確的控制和自動化的操作,為半導體制造提供了卓越的植入效果。憑借其通用的離子源、先進的束線設計、直觀的用戶界面以及全面的過程監控功能,Except 2000A為各種半導體應用中的高性能離子植入過程提供了完整的解決方案。
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