二手 VARIAN E1000 #145999 待售

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ID: 145999
Ion implanter, 8" Maximum beam energy: 200kV Facilities: Electrical: 380-460V, 3-phase, 4-wire, 50kVA 100A Main CB, 18,000 IC, 60Hz 25A Max single load Water: Inlet pressure: 40 to 100 psi (275.8 to 689.5 kPa) Pressure drop: 40 psi (275.8 kPa) Flow rate: 18 gpm minimum (68.1 L/min) Inlet temperature range: 50 to 68°F (10 to 20°C) Nitrogen pressure range: 50 to 100 psi (334.7 to 689.5 kPa) Air pressure range range: 100 to 125 psi (689.5 to 861.8 kPa) Exhaust: Flow rate: 1,200 cfm minimum (34.0 m^3/min) Pressure drop: 1.5 in H2O (373.36 Pa) Tool shutdown Q1 2009 Currently installed and located in cleanroom in fab 1997 vintage.
VARIAN E1000離子植入器和監視器是來自VARIAN半導體設備的高性能離子植入器和監視器。該裝置旨在將摻雜劑和其他離子植入半導體芯片和材料中,以提高材料的電性能。常用於摻雜矽片製作晶片和元件。VARIAN E-1000離子植入器具有廣泛的特點,包括先進的光束電流和能量控制,先進的角度控制,先進的空間通道補償,以及先進的運行結束(EOR)技術。E 1000的能量範圍高達30 keV,具有快速的上升/下降時間,允許快速的開關寬度調節。VARIAN E 1000還提供了一個板載橫梁腔室,以盡量減少組件腔室的變化次數。E-1000的劑量率很高,在跑步開始後200毫秒內提供250mA/cm2。這種高劑量率結合其Advanced End-of-Run技術,允許在所有過程細胞中實現均勻的劑量分布,提高了整個過程的均勻性。E1000可以在一次運行中鈍化多個結構,以及多層次結構,提供均勻、名義上成型的劑量分布。VARIAN E1000還被設計為最大限度地提高正常運行時間和吞吐量。在晶圓加工之前可以進行自動化的刀具鑒定檢查,快速的光束狀態切換允許從植入物到植入物的快速轉換。VARIAN E-1000先進的高級光束調校和控制,加上先進的空間通道補償和先進的角度控制,使得植入比以往任何時候都更加精確。除了快速處理和精確植入物的好處外,E 1000還提供了交互式、圖形化的用戶界面,簡化晶圓植入物的操作和監控。此用戶界面允許操作員快速訪問和修改VARIAN E 1000的設置,並修改植入參數以滿足客戶的需求。總體而言,E-1000離子植入器和監控器是一種先進的高性能工具,可以將摻雜劑和其他離子植入半導體芯片和材料中。它能夠在各種各樣的加工細胞中提供精確和均勻的植入物,從而能夠有效地制造芯片。通過其用戶友好的界面,快速切換植入參數和自動化的工具資格檢查,E1000可以最大限度地提高生產的時間和吞吐量。
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