二手 PHILIPS / FEI Strata 400 #9172655 待售
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已售出
ID: 9172655
Dual ion beam system
Electron source: Schottky Thermal field emitter
Ion source: Gallium liquid metal
Image resolution: <0.8 nm achievable SEM-STEM Mode
Maximum sample size: 75 mm diameter
Loadlock compatible
PC
Power rack
Desk
Does not include EDS and chiller
Sample types:
Wafer pieces
Packaged parts
TEM Half-grids
Flip stage:
Removable row holder up to (6) TEM Grids
Total tilt range: >150°C
External load base: Loading / Unloading grids from row holder
In-situ section extraction system
SEM-STEM Detector:
Multi-region:
Bright field
Dark field
(12) High-angle dark field segments
Key options:
Gas chemistry: Range of proprietary deposition and etch chemistries (TEOS, W, Pt)
Hardware: OMNIPROBE 200
Beam voltage:
SEM: 200 V - 30 kV
FIB: 2 kV - 30 kV
User interface:
GUI with integrated SEM, FIB, GIS
Imaging and patterning
Simultaneous patterning and imaging mode
Operating system: Windows 2000.
PHILIPS/FEI Strata 400離子銑削設備是一種先進的離子銑削系統，設計用於表面的精密蝕刻和清潔。它是一種離子銑削技術，用於實現極細的表面光潔度和高度的表面控制。這個單元利用強大的廣譜高能離子，同時研磨非金屬和金屬材料的表面，得到均勻的地形。該機是一個緊密集成的工具，由兩個主要組件組成：離子源和濺射室。離子源是高壓、高電流電弧離子源，具有兩種主要離子能量範圍和兩種不同的觸發方法（脈沖和連續）。該源可以在預定的能量範圍內產生離子，提供寬束覆蓋。濺射室是一個封閉的室，一側裝有等離子體反應室，另一側裝有靜電束轉向組件。等離子體反應室是一個充滿惰性氣體的真空室，允許電離粒子自由移動，同時幫助保護樣品免受氧化。光束轉向組件有助於有選擇地將離子引導到要進行蝕刻或清潔的特定區域。總體而言,FEI Strata 400旨在為用戶提供精確一致的離子銑削工藝,以進行高分辨率的蝕刻和清潔應用。利用大範圍的離子能量和選擇性的光束轉向組件，用戶能夠以極高的精度實現樣品表面的均勻光潔度和均勻的表面紋理。此外，由於該工藝是各向異性和非選擇性的，因此不需要特殊的制圖技術或後處理技術。
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