二手 HEISE C #9008204 待售

HEISE C是由HEISE Corporation創建的自動化晶圓處理設備。該系統旨在提供高精度處理和低擁有成本。該裝置能夠加工直徑達十二英寸的晶片。它具有很高的精度和精確度，能夠實現可重復的3微米特征大小。適用於細紋蝕刻、精密微電子器件制造等工藝.C是一種緊湊且可運輸的機器,具有低調的特點,允許在現有生產線環境中以最小的中斷程度輕松集成和實施。它具有堅固、陽極氧化鋁的上部外殼和頂面的耐腐蝕外殼。刀具的核心是高精度、雙軸旋轉定位臺。這樣可以使晶片的旋轉和對準保持一致和準確。該表由低噪聲、高扭矩的無刷伺服電機驅動。資產還包括兩個獨立的下級處理步驟。其中第一個是濕蝕刻加工站。這樣可以實現精確且可重復的堿性蝕刻工藝。它還能夠使用反應性離子進行幹蝕刻過程。第二個處理步驟是鈍化層應用站。該站能夠應用高性能、耐低溫的保護矽薄膜和網絡。HEISE C還包括多種外圍特性和選項，如裸露晶片表面的保護罩、優化的基板和工藝流體管理模型，以及閉環工藝控制設備。最後,C在緊湊且經濟高效的軟件包中提供了高水平的性能和精確度。它專為研究和生產應用而設計,是當今不斷增長的晶圓加工設備需求的理想解決方案。