二手 AIXTRON 200/4 RF-S #197865 待售
看起來這件物品已經賣了。檢查下面的類似產品或與我們聯系,我們經驗豐富的團隊將為您找到它。
單擊可縮放
已售出
ID: 197865
晶圓大小: 2"
MOCVD / GaN System, 2" single-wafer
1 x 2-inch wafer configuration in horizontal-flow reactor cell
Reactor cell integrated with M.Braun inert-atmosphere glovebox
Inductive heating to 1200°C with Huttinger power supply
Luxtron pyrometer for process temperature control
Filmetrics white-light reflectometer for in situ monitoring, with dedicated PC
Leybold D65BCS main pump
Five MO lines, including one configured for dopant dilution
Space allowance for three additional MO lines
MOs used TMGa, TMIn, TMAl, Cp2Mg, ditertiarybutylsilane
Hydride lines for ammonia, dilute silane, plus one spare
Johnson Matthey Pd-diffusion cell for hydrogen purification
SAES heated getter column for nitrogen purification
Full PC and PLC control using Aixtron CACE v2.2 software
Includes Aixtron wet-column exhaust scrubber
Used for ca 550 growth runs only
Offered with manuals and spares
Gas cabinets and control panels can be included in purchase
Currently powered down in cleanroom
2000 vintage.
AIXTRON 200/4 RF-S是使用射頻濺射和蒸發技術進行表面處理應用的反應堆。反應堆是具有等離子體氣流特征的四目標等離子體增強沈積設備。它旨在提供均勻、可重復和高效的沈積過程。反應堆由四個源組成，每個源由陰極、陽極和射頻發生器組成。陰極是為提供理想表面沈積而設計的各種材料的濺射目標。陽極放置在陰極的中心，以聚焦射頻發生器產生的能量。射頻發生器有助於在腔室中產生等離子體，以便有效地從所需的目標表面濺射材料。在操作中，射頻發生器在目標附近產生一個電場，導致等離子體氣體電離並向目標表面加速。這樣就形成了一個均勻的等離子束來濺射目標材料。濺射材料隨後受到室內受控大氣的影響，並發生受控反應，產生所需的表面沈積。該系統還提供對所應用的射頻功率密度和氣體流量的獨立控制，從而對沈積過程進行精確控制。該裝置配備了一個自動溫度和壓力控制功能，可以不斷保持室內所需的溫度和壓力，以便進行一致的優化沈積。AIXTRON 200/4 RF-S還具有提供預測性維護和錯誤檢測功能的高級診斷和自動安全協議。通過先進的診斷，該機能夠及早發現問題，確保沈積過程的精確控制，減少設備故障造成的停機時間。總體而言，AIXTRON 200/4 RF-S是一種堅固可靠的濺射和蒸發工具，適用於各種表面處理應用。其集成的氣流特性、溫度/壓力控制和先進的診斷技術使其成為加工各種材料優化沈積性能的理想選擇。
還沒有評論