二手 AIXTRON 200 #146468 待售
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ID: 146468
晶圓大小: 2"
優質的: 1989
MOCVD Mixed bed reactor, 2"
Configured for (3) 2" wafers
Process: GaN
Metal organic gas bubblers included
Set up to run nitrides
1989 vintage.
AIXTRON 200是一種現代的化學氣相沈積(CVD)反應器,設計用於生長無機(非金屬)和有機材料的薄膜和塗層。它能夠生長從幾個原子層厚到大於幾微米的薄膜,這取決於材料和工藝。該反應器具有兩個自上而下的垂直爐,具有大的加工室,從而使厚膜原位生長,在大基板上具有良好的均勻性、厚度和臺階覆蓋率。200由沈積室和負載鎖支撐模塊兩個主要部件組成。該室具有獨立的加熱、冷卻、排氣和裝卸能力,並配有機械臂和機械臂。可自定義腔室容量,以容納200 mm以下的多種基板尺寸。它的設計采用了模塊化概念,使工具易於升級,並有可能在今後引入新的工藝氣體和交替的預濺射工藝。沈積室具有兩個帶有多個射頻源臂的平面射頻電感,在ALD、等離子體增強型ALD等過程中,能夠顯著增加室內的反應性氣體控制。和PECVD.自上而下的雙室室設計和工藝方式,如Doherty蝕刻、晶體生長、快速熱處理和塗層,確保了薄膜生長或塗層的出色均勻性和可重復性。沈積室裝有帶電粒子槍,配有可調直流電源。這種槍非常適合具有固有負電荷的材料,如多晶矽、poly-SiGe和poly-III-V化合物。AIXTRON 200還配備了鎖載光發射設備、視頻檢測系統、氣流控制、原位橢圓偏振和石英晶體微平衡等多種工藝檢測和控制選項。負載鎖定支持模塊包括一個計算機控制的晶片傳輸系統、真空和壓力泵、一個計算機控制的氣體消減裝置,使反應堆具備處理有害氣體的能力,以及一個射頻蝕刻機。所有組件均符合ATEX認證和UVCE認證。該反應堆能夠運行多種沈積過程,如MOCVD、ALD、PECVD和快速熱處理。具有高水平的工藝控制和薄膜的均勻性,200適用於制造包括薄膜太陽能電池、LED、晶體管、薄膜電池在內的各種薄膜器件,以及用於先進MEMS器件的超薄門堆棧結構。
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